EnSM:全固态锂金属对称全电池的临界电流密度评估

锂电联盟会长 2024-01-25 11:56

点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!

一、全文概要
近年来,全固态金属锂电池(Li-ASSBs)因其在实现高能量密度方面的潜力而备受关注。然而,锂离子电池在室温下的低临界电流密度(CCD)仍然是一个主要瓶颈,限制了商业化的前景。到目前为止,大多数研究报告显示,CCD明显低于传统的锂离子电池,同时这些报告之间缺乏一致性。虽然这些CCD的不一致性可以归因于压力、温度和固体电解质化学的变化,但文献中经常遗漏一些关键参数,如使用的制造压力和持续时间,这两者都是实现金属锂和固体电解质之间良好接触的必要条件。本论文报告了金属锂的制造压力与CCD的接触保持时间之间的关系,从而阐明了控制锂的变形对CCD的影响。还评估了对称和全电池结构的CCD,其中研究了电池体积膨胀和压力的影响及变化。最后,介绍了一种恒压电池的设计,以减轻循环过程中体积变化的负面影响,使Li-ASSB在室温下获得更高的CCD。

二、正文部分
1、成果简介

在这项工作中,作者使用常见的Li-ASSB电池配置,Li | Li6PS5Cl (LPSCl) | Li对称电池和NCM811 | LPSCl | Li全电池,讨论了支配金属锂对称和全电池CCD的堆积压力因素。我们证明,在制造和操作参数中,锂和SSE在制造过程中的接触时间也是一个关键因素,可以极大地影响对称电池的CCD值。此外,还通过在电池制备和循环过程中的操作压力监测,系统地解决了对称电池和全电池之间CCD差异的根本原因。最后,作者揭示了使用恒压电池的设计可以在循环时释放电池内部的压力变化驱动的应力,这有助于在室温附近工作的Li-ASSBs实现更高的CCD。
该研究以题目为“Assessing the Critical Current Density of All-Solid-State Li Metal Symmetric and Full Cells”的论文发表在材料类国际顶级期刊《Energy Storage Materials》。
文献:https://doi.org/10.1016/j.ensm.2022.12.013
2、研究亮点

目前金属锂电池的制造工艺,图示为 图1a,包括三个步骤。1)在370MPa下使LPSCl颗粒致密化,2)在电池的两端添加锂金属箔,3)在25MPa下短暂加压以确保锂金属/SSE的良好接触。最后,再将压力释放到5MPa,进行电池循环。虽然用于制造ASSB的压实力量是常规方法,但在添加金属锂阳极时施加的时间压力以及由此产生的金属锂变形程度和均匀性在以前的报告中从未被报告。金属锂的变形程度将影响金属锂/SSE界面的接触程度和均匀性。为了验证我们的压力控制设置的有效性,在25MPa的初始接触和随后在5MPa的电镀/剥离循环中都监测了对称锂电池的堆积压力。图1b显示,初始接触期间的压力下降很严重,堆积压力从最初的25MPa下降到24h后的21.1MPa。随后,电池被释放到5MPa并开始电镀/剥离,在此期间几乎没有观察到任何变化(图1b,黄色阴影)。设定到5MPa后的循环数据将在后面讨论。为了排除来自不同电池部件的不同热膨胀系数的影响,监测并比较了空电池和标准对称电池的堆积压力(图1c,d)。从压力趋势(室温和40°C下的24h监测)来看,两个电池在最初的30分钟内都显示了快速的压力下降,在最初的30min内损失了2.2MPa(室温)和5.6MPa(40°C),随后在1h后压力逐渐下降。24h后的压力下降量在室温下(图1c)比在40℃下(图1d)要小,这表明在高温条件下李的变形量较大。这与锂在较高温度下的屈服强度较低是一致的。这有利于变形,并与我们的观察相一致。Li对称电池的压力趋势突出了两个要点:i)在电池制造过程中施加25MPa的堆积压力时,会发生金属Li的变形,10h后观察到变形的饱和状态。
图1 . a )为金属锂对称电池的制备示意图,其中25 MPa用于改善金属锂/ SSE接触界面;b )在室温下施加25 MPa 24 h (绿色),并在5 MPa和40℃下电镀/剥离(黄色),进行接触保持过程中的压力监测。c )室温,d ) 40℃下施加25 MPa,24 h后对空柱塞腔和锂金属对称腔进行压力监测。
图2. a) 锂对称电池的临界电流密度(CCD)斜坡测试,其中25MPa的接触压力施加了1分钟(黑色)和30分钟(蓝色)。 b) CCD趋势是25MPa接触保持时间的函数。电子成像和FIB研磨是在低温条件下进行的,以减少对金属锂的损害。
图3 a) 金属锂对称电池和全电池循环过程中的压力变化示意图。 b) 金属锂全电池循环过程中的操作压力监测和电压曲线。所有电池都是以逐步恒定的电流进行循环;0.2至1.0mA/cm2 。 c) 循环过程中的绝对压力变化和d) 金属锂全电池的临界电流密度作为阴极负载的一个函数。绝对压力变化是通过从第一个循环的最低压力减去第一个循环的最高压力来计算的。所有的循环都是在初始堆积压力为5MPa和40摄氏度下进行的。
使用没有弹簧的设置(固定间隙 图4a)和有弹簧(恒定压力,图4b)的电池支架,使用类似的升压试验进行检查。在固定间隙的电池中,在充电和放电过程中观察到严重的压力变化,在充电结束时约有140%的压力增加(1st 循环充电后为6.96MPa),在电流密度为0.5mA/cm2 图4ce)的充电期间表现出短路行为。然而,在带弹簧的电池中,压力偏差只有104%1st 循环充电后为5.21MPa),这比固定间隙电池要轻得多,而且在充电和放电期间更加稳定,正如预期的那样,允许电池以更高的电流密度循环,直到在1.0mA/cm2 图4 d, f)。金属锂的蠕变率随着外部压缩压力的增加而增加。在30°C时,2.2MPaLi蠕变率为0.06 μm/h3.5MPa时为0.42 μm/h。从这个数据中,可以看到只有1.2MPa的堆积压力差异会导致锂的蠕变率提高7倍。因此,通将固定间隙设置改为恒定压力设置,锂在整个电池中不会有如此高的锂蠕变率。图S6检查了固定间隙和恒压设置的长期循环性能。在相同的负载和0.5mA/cm2的循环协议下 ,在形成循环后的长期循环中,固定间隙设置的电池在2nd 循环时短路,而恒压电池运行超过50个循环时没有短路现象。因此,金属锂全电池的CCD可以通过实现恒压循环而得到改善,这为我们解决实际金属锂全电池中体积变化引起的压力积累提供了方法上的线索。
图4.a)固定间隙和b)恒定压力的细胞循环设置示意图。两种电池的NCM811负载均为25.5mg/cm2 。NCM811 | LPSCl | 金属锂电池的操作压力监测和相应的电压曲线,c, e) 固定间隙,d, f) 恒定压力设置,电流密度递增。所有的循环都是在40°C下初始堆积压力为5MPa时进行的。
为了探究较低压力下恒压的影响,在1MPa、3MPa和5MPa下测试了固定间隙和恒压电池(图5).在1MPa,恒定间隙和恒定压力电池都表现出相同的低CCD,即0.3mA/cm2 ,而恒定压力电池在3MPa时表现出略高的CCD,即0.6mA/cm2 ,比恒定间隙电池0.4mA/cm2 。从5MPa开始,恒压效应更占优势,其中恒压和固定间隙的CCD差异为0.6mA/cm2 。根据图1 和2 中观察到的李氏蠕变行为,这种趋势并不令人惊讶。在1MPa时,施加的压力不足以提供足够高的蠕变率,以确保金属锂和SSE之间的良好界面接触。这导致了不均匀的锂镀层,并导致早期电池失效,而不考虑恒定压力的影响。虽然3MPa的蠕变率较高,可以检测到施加恒定压力的影响,但以前的报告也发现在3MPa的界面上有空隙积累,表明3MPa仍不足以保持良好的接触。在5MPa时,实现了足够的李氏蠕变,因此能够有效地将施加恒定压力时检测到的CCD提高一倍。这个压力值与文献报道的理想Li ASSB全电池的值一致。虽然更高的堆积压力可能会对CCD产生更大的影响,但已经发现10MPa或更高的堆积压力会诱发过度的Li蠕变进入和通过SSE分离器,也会诱发电池失效。这项工作的结果以及文献中的发现表明,Li ASSBs最好在狭窄的堆积压力范围内运行,强调需要恒压运行以最大限度地提高Li ASSBs的CCD。
图5.固定间隙(十字符号)和恒压(圆圈符号)电池的CCD趋势,初始堆积压力为1、3和5MPa。所有电池的NCM811载荷为12.8 mg/cm2 。
4、总结
以前报道的Li-ASSB的CCD表现出广泛的变化,金属锂对称电池和金属锂全电池之间存在明显的差异。在这项研究中,我们调查了关键的制造参数,这些参数可以解决报告中CCD的差异。特别是,在电池组装过程中的接触保持时间是一个关键的考虑因素,它影响到金属锂和SSE之间固体物理接触的形成。在这个保持时间内,金属锂经历了与时间有关的机械变形,可以改变有效接触面积。通过改善界面接触和均匀性,CCD可以因此得到改善并实现更多的重复性。此外,作者已经证实了对称电池和全电池之间在CCD和相应性能方面的不匹配,其中必须考虑来自阴极的贡献。金属锂全电池的体积变化是不可避免的,因为在电池循环过程中,阳极的金属锂电镀和剥离导致电极的膨胀和收缩,这无法从阴极方面进行补偿。在电池循环过程中,通过对操作室压力的监测,对密闭电池内持续的体积变化驱动的应力积累进行了研究。堆栈压力的增加导致了整个电池的过早短路,并且这一趋势与阴极负载相关,这表明阴极负载较高的电池表现出更严重的压力变化,随后在较低的电流密度下出现短路。我们已经确定了阳极体积的变化,累积到净堆积压力的变化,是导致电池短路的一个重要原因,并设计了一个恒压电池结构,利用弹簧来减轻循环过程中的压力变化。这种改进的设置证明了在循环过程中保持恒定堆积压力的必要性,并使锂离子电池的电流密度更高,特别是在室温附近。
试验方法
Li6PS5Cl(LPSCl,NEI公司,美国)被用于固态电解质(SSE)分离层和阴极复合材料的制备。为了进行阴极复合,使用EMAX 球磨机(Retsch,德国)减小LPSCl的颗粒大小。球磨在300rpm下进行了2小时,使用无水二甲苯作为介质。蒸汽生长的碳纤维(VGCF)购自Sigma Aldrich(石墨化,无铁),并在160°C真空下干燥一夜以去除水分。NCM811(LG化学),涂有硼基层,作为接收的材料使用。阴极复合材料的制备是通过手工混合,使用NCM811的重量比。LPSCl:金属锂(FMC,美国)箔通过刮除氧化层而被清洁,随后被打成0.785cm2 。
相关阅读:
锂离子电池制备材料/压力测试
锂电池自放电测量方法:静态与动态测量法
软包电池关键工艺问题!
一文搞懂锂离子电池K值!
工艺,研发,机理和专利!软包电池方向重磅汇总资料分享!
揭秘宁德时代CATL超级工厂!
搞懂锂电池阻抗谱(EIS)不容易,这篇综述值得一看!
锂离子电池生产中各种问题汇编
锂电池循环寿命研究汇总(附60份精品资料免费下载)

锂电联盟会长 研发材料,应用科技
评论
  • Ubuntu20.04默认情况下为root账号自动登录,本文介绍如何取消root账号自动登录,改为通过输入账号密码登录,使用触觉智能EVB3568鸿蒙开发板演示,搭载瑞芯微RK3568,四核A55处理器,主频2.0Ghz,1T算力NPU;支持OpenHarmony5.0及Linux、Android等操作系统,接口丰富,开发评估快人一步!添加新账号1、使用adduser命令来添加新用户,用户名以industio为例,系统会提示设置密码以及其他信息,您可以根据需要填写或跳过,命令如下:root@id
    Industio_触觉智能 2025-01-17 14:14 121浏览
  •  光伏及击穿,都可视之为 复合的逆过程,但是,复合、光伏与击穿,不单是进程的方向相反,偏置状态也不一样,复合的工况,是正偏,光伏是零偏,击穿与漂移则是反偏,光伏的能源是外来的,而击穿消耗的是结区自身和电源的能量,漂移的载流子是 客席载流子,须借外延层才能引入,客席载流子 不受反偏PN结的空乏区阻碍,能漂不能漂,只取决于反偏PN结是否处于外延层的「射程」范围,而穿通的成因,则是因耗尽层的过度扩张,致使跟 端子、外延层或其他空乏区 碰触,当耗尽层融通,耐压 (反向阻断能力) 即告彻底丧失,
    MrCU204 2025-01-17 11:30 182浏览
  • 高速先生成员--黄刚这不马上就要过年了嘛,高速先生就不打算给大家上难度了,整一篇简单但很实用的文章给大伙瞧瞧好了。相信这个标题一出来,尤其对于PCB设计工程师来说,心就立马凉了半截。他们辛辛苦苦进行PCB的过孔设计,高速先生居然说设计多大的过孔他们不关心!另外估计这时候就跳出很多“挑刺”的粉丝了哈,因为翻看很多以往的文章,高速先生都表达了过孔孔径对高速性能的影响是很大的哦!咋滴,今天居然说孔径不关心了?别,别急哈,听高速先生在这篇文章中娓娓道来。首先还是要对各位设计工程师的设计表示肯定,毕竟像我
    一博科技 2025-01-21 16:17 100浏览
  •  万万没想到!科幻电影中的人形机器人,正在一步步走进我们人类的日常生活中来了。1月17日,乐聚将第100台全尺寸人形机器人交付北汽越野车,再次吹响了人形机器人疯狂进厂打工的号角。无独有尔,银河通用机器人作为一家成立不到两年时间的创业公司,在短短一年多时间内推出革命性的第一代产品Galbot G1,这是一款轮式、双臂、身体可折叠的人形机器人,得到了美团战投、经纬创投、IDG资本等众多投资方的认可。作为一家成立仅仅只有两年多时间的企业,智元机器人也把机器人从梦想带进了现实。2024年8月1
    刘旷 2025-01-21 11:15 390浏览
  • 数字隔离芯片是一种实现电气隔离功能的集成电路,在工业自动化、汽车电子、光伏储能与电力通信等领域的电气系统中发挥着至关重要的作用。其不仅可令高、低压系统之间相互独立,提高低压系统的抗干扰能力,同时还可确保高、低压系统之间的安全交互,使系统稳定工作,并避免操作者遭受来自高压系统的电击伤害。典型数字隔离芯片的简化原理图值得一提的是,数字隔离芯片历经多年发展,其应用范围已十分广泛,凡涉及到在高、低压系统之间进行信号传输的场景中基本都需要应用到此种芯片。那么,电气工程师在进行电路设计时到底该如何评估选择一
    华普微HOPERF 2025-01-20 16:50 73浏览
  • 现在为止,我们已经完成了Purple Pi OH主板的串口调试和部分配件的连接,接下来,让我们趁热打铁,完成剩余配件的连接!注:配件连接前请断开主板所有供电,避免敏感电路损坏!1.1 耳机接口主板有一路OTMP 标准四节耳机座J6,具备进行音频输出及录音功能,接入耳机后声音将优先从耳机输出,如下图所示:1.21.2 相机接口MIPI CSI 接口如上图所示,支持OV5648 和OV8858 摄像头模组。接入摄像头模组后,使用系统相机软件打开相机拍照和录像,如下图所示:1.3 以太网接口主板有一路
    Industio_触觉智能 2025-01-20 11:04 150浏览
  • 嘿,咱来聊聊RISC-V MCU技术哈。 这RISC-V MCU技术呢,简单来说就是基于一个叫RISC-V的指令集架构做出的微控制器技术。RISC-V这个啊,2010年的时候,是加州大学伯克利分校的研究团队弄出来的,目的就是想搞个新的、开放的指令集架构,能跟上现代计算的需要。到了2015年,专门成立了个RISC-V基金会,让这个架构更标准,也更好地推广开了。这几年啊,这个RISC-V的生态系统发展得可快了,好多公司和机构都加入了RISC-V International,还推出了不少RISC-V
    丙丁先生 2025-01-21 12:10 111浏览
  • 2024年是很平淡的一年,能保住饭碗就是万幸了,公司业绩不好,跳槽又不敢跳,还有一个原因就是老板对我们这些员工还是很好的,碍于人情也不能在公司困难时去雪上加霜。在工作其间遇到的大问题没有,小问题还是有不少,这里就举一两个来说一下。第一个就是,先看下下面的这个封装,你能猜出它的引脚间距是多少吗?这种排线座比较常规的是0.6mm间距(即排线是0.3mm间距)的,而这个规格也是我们用得最多的,所以我们按惯性思维来看的话,就会认为这个座子就是0.6mm间距的,这样往往就不会去细看规格书了,所以这次的运气
    wuliangu 2025-01-21 00:15 183浏览
  • 本文介绍瑞芯微开发板/主板Android配置APK默认开启性能模式方法,开启性能模式后,APK的CPU使用优先级会有所提高。触觉智能RK3562开发板演示,搭载4核A53处理器,主频高达2.0GHz;内置独立1Tops算力NPU,可应用于物联网网关、平板电脑、智能家居、教育电子、工业显示与控制等行业。源码修改修改源码根目录下文件device/rockchip/rk3562/package_performance.xml并添加以下内容,注意"+"号为添加内容,"com.tencent.mm"为AP
    Industio_触觉智能 2025-01-17 14:09 164浏览
  •     IPC-2581是基于ODB++标准、结合PCB行业特点而指定的PCB加工文件规范。    IPC-2581旨在替代CAM350格式,成为PCB加工行业的新的工业规范。    有一些免费软件,可以查看(不可修改)IPC-2581数据文件。这些软件典型用途是工艺校核。    1. Vu2581        出品:Downstream     
    电子知识打边炉 2025-01-22 11:12 49浏览
  • 临近春节,各方社交及应酬也变得多起来了,甚至一月份就排满了各式约见。有的是关系好的专业朋友的周末“恳谈会”,基本是关于2025年经济预判的话题,以及如何稳定工作等话题;但更多的预约是来自几个客户老板及副总裁们的见面,他们为今年的经济预判与企业发展焦虑而来。在聊天过程中,我发现今年的聊天有个很有意思的“点”,挺多人尤其关心我到底是怎么成长成现在的多领域风格的,还能掌握一些经济趋势的分析能力,到底学过哪些专业、在企业管过哪些具体事情?单单就这个一个月内,我就重复了数次“为什么”,再辅以我上次写的:《
    牛言喵语 2025-01-22 17:10 41浏览
我要评论
0
点击右上角,分享到朋友圈 我知道啦
请使用浏览器分享功能 我知道啦