近日，国内2家企业公布了其SiC项目进展：
● 华瑞微：SiC晶圆项目总投资30亿，二期今年启动建设；
● 三微电子：推出SiC器件/模组产品，形成“SiC+GaN”布局。
华瑞微：
一期产能48万片/年，二期今年开始建设
近日，据安徽日报报道， 华瑞微半导体IDM芯片项目一期进展顺利，现有设备已实现月产晶圆4万片，折合年产能为48万片，项目二期将在今年开始建设。
根据“行家说三代半”此前报道，2020年10月，华瑞微半导体IDM芯片项目在安徽滁州开工奠基，总投资30亿元，将建设SiC MOSFET生产线，全部达产后，年销售额约为30亿元，税收约为2亿元。
华瑞微半导体IDM芯片项目建设效果图
● 项目一期打造6英寸晶圆厂，用地100亩，新建厂房6万㎡、综合楼及研发楼2万㎡，设计月产能10万片，已于2022年6月正式投产，现有产能为4万片/月；
● 项目二期将打造8英寸晶圆厂，用地200亩，规划年产8吋功率器件晶圆36万片，预计于2024年启动建设。
官网资料显示，滁州华瑞微电子科技有限公司成立于2020年7月，是一家专业的功率器件IDM公司，旗下全资控股子公司为南京华瑞微集成电路有限公司，成立于2018年5月，主要从事功率器件的研发与销售，两家企业的法定代表均为同一人。
截至目前，华瑞微终端客户包括华为、小米、飞毛腿、美的、长虹等知名品牌，并已获得5轮融资，公开金额合计为5亿元。
值得关注的是，2023年4月，华瑞微宣布其Fab Yield（晶圆厂良率）持续稳定在98%以上，达到业界成熟晶圆厂的良率水平，下一步将向99.5%的目标前进。此外，华瑞微在未来将持续扩产，以满足下游市场需求。
三微电子：
SiC器件/模组已进入生产阶段
1月12日，苏州市工业和信息化局相关工作人员赴三微电子开展SiC产业专项调研，三微电子负责人向其汇报了公司的SiC布局情况。
据悉，三微电子立足中国电科产业基础研究院的第三代半导体工艺平台，依托全国产化的SiC二极管、MOSFET器件，正在进行SiC模组类产品的应用研究。目前，三微电子拥有电驱用SiC HPD、高效率小型化DC-DC电源模块等SiC产品，可面向新能源汽车、轨道交通、光伏逆变、消费类电子等市场领域。
根据“行家说三代半”此前报道，三微电子过去主要布局GaN领域，其拥有国内先进的微波组件制造工艺生产线，主要研发产品包括GaN开关电源、GaN器件等，被广泛应用于通信、新能源汽车、东数西算、风电光伏等领域。
值得关注的是，在2022年，三微电子拟投资建设“微电路组装线建设项目”。该项目位于苏州工业园区，规划建设微电路产品/模块研发生产平台，其中微电路产品年产能设计为77万只，预计消耗GaN、硅片等芯片共192.5万颗，微电路模块年产能设计为3万只，预计消耗GaN、硅片等芯片共7.5万颗，并将采购氮气柜、共晶贴片机、自动贴片机等生产设备近150台（套）。
三微电子已经开始涉足SiC研发生产领域，并且不断攻克功率器件版块，进一步完善第三代半导体产业布局，未来将以“SiC+GaN”的双轮驱动模式进军市场空间。
官微资料显示，三微电子科技（苏州）有限公司成立于2021年，由中电科十三所全资控股，并在成都、石家庄设有分公司，研发领域主要面向第三代半导体典型应用，包括电力电子、硅基电路、商用微波等，并提供先进封装中试线服务。
目前，三微电子的苏州总部大楼占地面积约有6000㎡，拥有完整的晶圆划片、微组装 (装架/健合)、封帽、贴装等工艺工序及温循、老化等试验能力，并有生产检验设备80+台/套，测试仪器150+台，未来将聚焦第三代半导体核心元器件的工艺技术。
