1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频微系统芯片研究”项目启动会暨实施方案论证会在云塔科技（安努奇）举行。本项目是由中国科学技术大学牵头，香港科技大学作为香港方合作单位以及安徽安努奇科技有限公司作为参研单位，共同开展联合攻关。
项目启动仪式由安努奇科技主办，项目负责人孙海定教授主持，香港科技大学杨岩松教授、安努奇科技总经理左成杰博士、中科大微电子学院郑柘炀教授及相关项目核心骨干参会。
本项目面向国家在高频、大带宽和高功率密度战略性高端通信芯片和射频模组的迫切需求，开展基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝（GaN/AlScN）异质集成射频微系统芯片研究，充分结合中科大、港科大、安努奇科技三方在射频前端领域的技术优势与产业化经验，针对关键技术难题组建课题攻关小组，提高射频微系统芯片的技术创新能力，实现攻坚克难与关键核心技术的突破，促进我国射频前端整体水平进入国际先进行列。
国家重点研发计划项目对于安努奇科技来说既是挑战亦是机遇，项目周期紧迫、任务艰巨，对安努奇科技的研发力量与协同能力提出了全新要求。为保证项目稳步推进、高效落地，安努奇科技必将精细化地开展项目研究工作，以安努奇科技的产业资源优势融合中科大、港科大的科研优势，整合多方力量，高质量完成国家重点研发计划项目，推动射频前端领域技术创新，让承担国家级项目成为公司快速发展的重要契机。
本次项目的开展将促使创新火花竞相迸发，推动合肥射频前端乃至集成电路产业聚“链”成“群”。安努奇科技作为本项目的参与者，亦将凭借项目经验进一步提升产品创新能力与技术领先优势，成为5G商用、6G定义阶段的重要参与者，服务“中国芯”这一国家战略，为客户提供高端领先的射频前端解决方案。
