使用SiC MOSFET
和肖特基二极管
计算中子通量
导致的超额故障率
简介
在很多对可靠性具有更高要求的应用中,功率电子元件内部中子引起的故障问题备受关注。我们根据器件的使用情况来估算减少的预期寿命。今天推荐的文档对此过程进行了描述。此估值在海拔高度介于海平面与15,000米(50,000英尺)之间时最为准确。此过程不适用于空基应用。
主要内容
物理机制
FIT比率统计信息
FIT比率计算
- 维度依赖性
- 海拔依赖性
- 中子通量密度的归一化
- 使用归一化FIT的比率图
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