由于年底需求低迷，2023年内存芯片市场呈现起伏不定的态势，并以相对平稳的态势结束全年。根据TrendForce的最新数据，由于年底需求低迷，DRAM和NAND闪存组件的现货价格表现平平。
报告指出，一些DRAM供应商正在向现货市场释放更多库存，以降低库存水平。这一趋势给现货价格带来了下行压力。然而，买家增加采购数量的速度缓慢，导致DRAM市场价格持续波动。
与此同时，由于缺乏推动需求的因素，NAND闪存的现货价格也保持平稳。TrendForce报告称，年底采购停滞不前。然而，由于供应受限，NAND闪存市场正处于大幅价格调整之中。顶级内存芯片制造商，包括三星、SK海力士和美光，在2023年下半年和进入新的一年之际，都大幅削减了产量，以提振价格。
尽管内存现货市场停滞不前，但行业分析师对2024年内存市场的未来前景持乐观态度。TrendForce数据显示，今年第一季度DRAM价格将上涨13-18%。这一涨幅将主要得益于AI应用产生的需求。目前市场还充斥着未完成的DDR5订单，因为原始设备制造商正竞相制造配备最快内存芯片的设备。
此外，预计AI也将使高带宽内存（HBM）芯片的需求激增。这些元件在智能手机和其他具有设备上人工智能功能的设备中发挥着至关重要的作用。因此，移动 DRAM 预计将成为第一季度最强劲的产品类别，预计价格将上涨 18-23%。
芯片制造商可能需要在2024年开始生产更多的内存模块。分析师Roko Kim告诉《金融时报》：“到第一季度末，DRAM芯片制造商的库存可能会低于适当水平。届时，他们将需要考虑提高产量和工厂运营率。”与此同时，NAND Flash有望迎来自己的增长高峰。TrendForce数据预测价格上涨13-18%。然而，与DRAM市场不同，这一增长的大部分是由于制造商的价格上涨而非有机需求。
最终，内存市场在2024年的表现肯定比2023年要好。由于AI的增长和制造商寻求弥补其近期损失而导致的价格上涨，买家今年不应该期望以低价采购内存芯片，即使目前的现货价格停滞不前。
