日本DISCO研发新型晶圆切割机，碳化硅切割速度提高10倍

日本晶圆设备制造商DISCO于2023年12月推出全新的SiC(碳化硅)切割设备，可将碳化硅晶圆的切割速度提高10倍，首批产品已交付客户。由于碳化硅的硬度仅次于金刚石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割难度较大。

此外，DISCO于15年前开发了一种设备，可以减少HBM高带宽内存加工过程中的浪费。最近随着人工智能的兴起，这类设备销售激增。由于HBM生产成本高昂，存储芯片制造商往往将后段工艺流程外包，这一策略促进了对DISCO设备采购的需求。

据悉，DISCO在晶圆切割和研磨机领域占据70~80%市场份额，公司市值在2023年增长三倍，并且研发支出创下了250亿日元(约合1.75亿美元)的新高。DISCO当前的重点是HBM和碳化硅晶圆切割设备。

2023年7月，DISCO宣布在日本熊本县建立一个“中间工艺研发中心”，按照DISCO的定义，中段制程包括对成品晶圆进行切割，这一过程对良率和生产效率十分重要，因此加工过程中必须小心谨慎。

尽管美国和日本加强了半导体设备对中国出口管制，但DISCO在中国市场的收入暂时未受到影响。截至2022年3月，该公司约31%的收入来自中国，2023年7~9月增加至34%。

近两年，每当讨论半导体材料时，另一个话题“碳化硅”几乎同时出现。碳化硅热度可以说是一路狂飙，无疑成为了半导体领域的新宠。碳化硅是第三代半导体材料，与传统硅基材料相比，碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越的物理性能，适合制作高温、高频率、高功率、高电压的大功率器件，能更好地适配电子通信、新能源等行业应用。显而易见，碳化硅取代硅基是大势所趋。

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