MOTIX™ 2ED27xxS01G
英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构,具有出色的稳健性,以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管,可为外部高压侧自举电容供电,从而进一步降低系统级BOM成本。这些半导体器件采用紧凑型3x3mm² VSON10封装,并且提供半桥(HB)和高边+低边(HS+LS)两种配置以及两种不同的拉/灌电流,可以在各种应用中驱动n沟道MOSFET。
2ED2732S01G和2ED2742S01G的拉电流为1A,灌电流为2A;2ED2738S01G和2ED2748S01G的拉电流为4A,灌电流为8A。所有产品的VCC和VB引脚均具有独立的欠压锁定(UVLO)功能,半桥产品还集成了击穿保护(STP)功能。此外,相关的JEDEC78/20/22测试表明,MOTIX™ 160V解决方案完全满足工业应用要求。
供货情况
MOTIX™ 160V SOI低压电机控制解决方案现已上市。使用2ED2742S01G的EVAL-6ED2742S01QM1评估板也已上市。更多信息,请扫描下方二维码或点击文末“阅读原文”。
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【英飞凌工业半导体】
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