MPW流片
上海工研院(SITRI)联合中国科学院上海微系统所、中国科学院半导体研究所、上海交大等国内硅基光电子领域知名研究机构,建立硅基光电子器件工艺平台,具备硅基异质材料外延、硅基光电子器件/芯片加工制备、封装测试等能力,可以通过MPW、定制化流片、联合研发等多种方式为高校和企业提供服务,满足客户研发、中试、封装等多样化需求。
流片日程安排
*表中时间为客户首次提交自查DRC free的版图时间
*单个Block尺寸3mm × 10mm,交付25个芯片
硅光MPW流片工艺
SITRI共提供2套硅光工艺,包括90nm SOI有源/无源工艺与180nm SiN无源工艺,具体工艺能力如下:
90nm工艺结点SOI流片
目前,SOI集成工艺流片的最小工艺节点已升级至90nm,具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、锗外延、TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力,可实现各种高性能的硅光无源、有源器件。
基本工艺能力如下表所示:
器件库性能如下表所示:
180nm工艺节点SiN流片
SiN集成工艺流片具备LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力,可实现各种高性能氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示:
器件库性能如下表所示:
服务流程
MPW服务流程
定制化服务流程
*如有流片需求,请邮件联系商务张经理获取PDK,欢迎垂询!
邮箱:Rex.Zhang@sitri.com
电话:156-9213-9359