12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。
source：电科材料
据介绍，GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电力电子用GaN器件的需求。资料显示，国盛公司前身是信息产业部电子第五十五研究所电子材料产品部，专业从事半导体硅外延材料的研发及批量生产。公司拥有LPE、Gemini等公司生产的多种型号外延炉，主要产品包含列从3英寸到8英寸的P型和N型外延片，产能为8万片/月(4英寸等效)。值得一提的是，近日，国盛公司大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品诞生。国盛公司表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客户提供验证样片工作正式启动。近年来，电科材料大力布局第三代半导体外延领域。2021年9月，电科材料南京外延材料产业基地项目签约落户南京江宁开发区综合保税区，占地面积约10万平方米。今年11月，电科材料南京外延材料产业基地宣布正式投产运行。该产业基地项目分两期实施，其中一期投资19.3亿元，将建设成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料产业基地等。项目达产后，将形成8-12英寸硅外延片456万片/年，6-8英寸化合物外延片12.6万片/年的生产能力。据悉，自电科材料南京外延材料产业基地项目投产以来，大尺寸硅外延片、SiC外延片已先后实现客户交付，第一枚GaN on Si外延片下线，标志着国盛公司产品多元化布局初步完成。此外，2022年4月，电科材料孙公司盛鑫半导体举行大尺寸硅外延材料产业化项目开工仪式。今年6月，盛鑫半导体大尺寸硅外延材料产业化项目实现首批设备入场。据电科材料介绍，该项目是南京市集成电路产业链建设的地标性项目，将建设外延主厂房、晶体加工厂房、综合试验楼、动力站等相关建筑，主要从事大尺寸硅外延片和第三代半导体外延片生产。
