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近日，QureDA Research公司开发的一种提高SiC体晶片质量的“Dynamic AGE-ing”技术（重整技术）市场讨论热度上升。这项技术由 QureDA Research 的代表董事兼 CTO（首席技术官）Tadaaki Kaneko（关西学院大学教授）开发。
图：AGE-ing技术原理图（插图由 QureDA Research 提供）
此外，热蚀刻消除了 SiC 晶圆切片和研磨产生的残余加工应变，最终可以省去化学机械抛光 (CMP) 环节。以及这项非接触式热工艺可以生产高质量的 SiC 晶圆并减少外延片中的缺陷。
BPD和SF是对SiC功率半导体器件质量产生不利影响的晶体缺陷。BPD是Basal Plane Dislocation，即错位。SF是Stacking Failure的缩写，是一种以平面方式展开的堆垛层错。当 SiC 块状晶圆通过动态 AGE-ing 进行改性时， BPD 几乎为零，并且 SF 和导致其的表面变形可以大大减少。尤其是数据显示，对于BPD有巨大的改善效果。
Kaneko 先生从多家不同的衬底企业拿到了样片，并尝试使用 Dynamic AGE-ing 进行表面处理，结果表明，过去一次存在数千到 20,000 个的 BPD 在整个晶圆表面几乎减少到零。在目前可用的 SiC 衬底中，BPD 的密度为每厘米数千2。通过使用动态 AGE-ing，这种情况几乎可以消除。
该公司负责人表示，通过Dynamic AGE-ing对SiC体晶圆进行改性，可显着降低BPD、SF和体晶圆表面畸变，使其适合后续工艺，对外延层的生长工艺也会产生积极的影响。换句话说，外延层的质量提高，导致在外延层中制造的SiC功率半导体器件的产量、性能和可靠性提高。
通过使用动态 AGE-ing 来修改不同晶圆制造商提供的 SiC 块状晶圆，可以减少制造商之间的质量差异。这不仅有助于降低成本，还可以通过增加制造商的选择来降低采购风险。
Dynamic AGE-ing的开发进展顺利，目标是将其应用于量产。 Kaneko 表示：“我们希望在 2024 年底之前将其应用于量产。”
除此之外，Kaneko 还表示，Dynamic AGE-ing制造碳化硅逆变器和电动汽车的公司也可以将其放入自己的生产线。目标是利用该技术将质量低一级的廉价 SiC 衬底修改为可用于制造 SiC 功率半导体器件的质量，如果可以做到这一点，则可以用于任何相关企业的生产线。
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