近日，南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，这不仅验证了南瑞半导体第二代SiC MOSFET工艺平台的可靠性，也为后续即将量产的其它SiC MOSFET产品奠定了坚实基础，标志着南瑞半导体产品质量达到了国际领先水平，为其新能源汽车领域市场的拓展布局奠定了坚实基础。
AEC-Q101认证是汽车行业最为核心的国际标准之一，是国际汽车行业通用的技术规范，包括各类环境应力、可靠性、耐久性、寿命测试等，通过AEC-Q认证代表着器件具有优异品质和高可靠性，被认为是半导体企业在汽车领域立足必要且首选的“入场券”。南瑞半导体将继续保持核心技术和产品的领先优势和持续竞争力，集中精力走“矢志自立自强，科技产业报国”道路。以“十年磨一剑，攻关高精尖”的精神勇攀科技高峰，不断提升产品性能，为推动国家新能源事业关键核心技术攻关贡献力量。
产品介绍
南瑞半导体NCM40S12T4K2采用车规级标准设计，采用低比导微元胞芯片结构设计技术，具有以下优势：
● 比导通电阻Ron,sp低至3.1mΩ·cm2，良率90%，达到国际一流水平；
● 产品通过HTRB、HV-H3TRB等可靠性测试；
● 新栅氧工艺与电场抑制均衡技术：兼容15V/18V技术平台，保证HTGB高可靠性。
在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了工艺，这将：
● 使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。
● 可耐受工作结温高达175℃，在对比同类产品测试中，其比导通电阻较低，开关损耗更小，开关速度较高，寄生电容较低。
● 第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在可靠性认证、动静态测试中等评估中表现优良。
相关数据：
● 25℃下，南瑞半导体产品的IDSS、V(BR)DSS、RDS(on)、VSD参数和同类产品处于同一水平；
● 175℃下，南瑞半导体产品的V(BR)DSS、RDS(on)、VSD参数和同类产品处于同一水平。
注：所有数据均由南瑞半导体通过同一双脉冲测试平台实测所得。
● 25℃下，南瑞半导体产品的开通损耗Eon较低，优于同类产品；
● 175℃下，南瑞半导体产品的开通损耗Eon较低，优于同类产品，关断损耗Eoff和同类产品处于同一水平。
注：所有数据均由南瑞半导体通过同一双脉冲测试平台实测所得。
● 25℃下，南瑞半导体产品的反向恢复电荷Qrr较低，优于同类产品；
● 175℃下，南瑞半导体产品的反向恢复时间trr较短，优于同类产品，反向恢复电荷Qrr和同类产品处于同一水平。
应用推荐：
1、SiC MOSFET在30kW充电模块中的应用：
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适用产品型号：NCM40S12T4K2
● 简化拓扑电路，减少元器件的数量，控制和驱动更为简单；
● 采用SiC MOSFET，可提高充电桩的功率单元单机功率；
● 基于SiC MOSFET的高频特性，可提高LLC电路的开关频率。
2、SiC MOSFET在 225KW 光伏逆变器 MPPT 中的应用:
适用产品型号：NCM40S12T4K2、NCM32S12T4K2
● 适用1500V大功率机型；
● 三相组串式多为商用、工业用，单模块通常在20KW，最大可到100KW。
3、SiC MOSFET 在 台区柔性互联配电变压器（储能模块）的应用：
适用产品型号：NCM40S12T4K2、NCM32S12T4K2
● 系统参数：输入电压AC 380V,输出电压DC 750V；
● 选择SiC MOSFET能够降低管子使用数量，易于控制；
● 提高开关频率从16KHz提升至40KHz。
关于南瑞半导体
南京南瑞半导体有限公司致力于功率半导体技术研究、应用及产业化发展，全力推进核心功率半导体器件自主可控，是国家电网有限公司战略新兴产业培育重点单位、首批入选国资委"科改示范"企业之一、国家级专精特新"小巨人"企业和国网功率半导体产业统一平台。
南瑞半导体IGBT/FRD产品电压等级涵盖650V-6500V，SiC MOSFET产品电压等级涵盖1200V-3300V，目前产品已广泛应用于高压柔性输电、电能质量治理、特种电源、工业传动、风力发电、光伏发电、新型储能、制氢电源、充电设施和新能源汽车等领域。
旗下解决方案包括
● 芯片：
IGBT/FRD芯片(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/750V/650V)
SiC MOSFET/SBD芯片(3300V/1700V/1200V)
● 分立器件：
IGBT/FRD分立器件（3300V/1700V/1200V/750V/650V）
SiC MOSFET/SBD分立器件（3300V/1700V/1200V）
● 工业级模块：
IGBT/FRD模块（6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V）
SiC MOSFET模块（3300V/1700V/1200V）
● 车规级模块：
IGBT模块（1700V/1200V/750V/650V）
SiCMOSFET模块 （1700V/1200V）
● 平台服务：
IGBT/FRD/SiC模块封装测试业务（6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V）
功率半导体器件检测业务（性能测试、可靠性测试、失效分析测试、应用浏试）
定制化开发（从应用需求及可靠性出发，针对具体场景对产品进行优化设计，匹配客户整体方案）
联系方式
销售总监：18651803379
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