长鑫存储（CXMT），在日前于旧金山举行的第69届IEEE国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术。
GAA全程全环绕栅极晶体管(Gate-All-Around FET)。GAA被广泛认为是鳍式结构(FinFET)的下一代接任者。适用于3纳米级芯片。
根据南华早报的报道，长鑫存储发表的声明表示，该论文描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产技术无关，暗示该设计还远未成为一种商品化的产品。长鑫存储的出口管制专家表示，任何关于长鑫存储违反美国制裁或出口管制的指控都是完全不准确的。我们坚信，IEDM寻求促进的思想自由流动对于行业的创新和发展至关重要。
报道表示，虽然长鑫存储针对GAA技术尚未提供产品样品，但这家公司通过提供的下一代内存芯片生产的证据，引起了产业人士的关注，因为相关的产品设计通常都相关到美国出口限制的技术。半导体研究公司SemiAnalysis的首席分析师Dylan Patel则是在社交平台X上指出，承认了长鑫存储的论文，并表示该公司在最先进的晶体管架构方面取得的进展。
关于长鑫存储
据长鑫存储官网介绍，长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。我们将凭借值得信赖的产品和服务满足不断增长的市场需求，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储公司，以存储科技赋能信息社会，改善人类生活。
不久前，据长鑫存储官网显示，长鑫存储推出了最新 LPDDR5 DRAM 存储芯片，是国内首家推出自主研发生产的 LPDDR5 产品的品牌，实现了国内市场零的突破，同时也令长鑫存储在移动终端市场的产品布局更为多元。
长鑫存储 LPDDR5 系列产品包括 12Gb 的 LPDDR5 颗粒，POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片。12GB LPDDR5 芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5 是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储 DRAM 芯片的产品布局。
