存储器DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT），在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端3纳米级芯片。
南华早报报道，虽然长鑫存储尚未提供样品产品，但这家公司提供的下一代内存芯片生产的证据，引起了行业分析师的关注，因为此类芯片的设计通常涉及受美国出口限制的技术。
台湾华邦电子的储存芯片专家Frederick Chen表示，长鑫存储的进展令人印象深刻，因为代表这家公司距离最先进的研究和技术并不遥远。三星电子也正在尝试做同样的事情。
长鑫存储发表声明称，该论文描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产工艺无关，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。
长鑫存储两周前发布，已生产出大陆首款低功耗双倍资料速率5（LPDDR5）DRAM芯片，缩小了与韩国三星和SK海力士等领先厂商的差距。
长鑫存储成立于2016年，代表大陆在全球DRAM市场追赶韩国记忆体芯片巨头三星电子、SK海力士以及美国美光科技的最大希望。
总部位于旧金山的半导体研究公司SemiAnalysis的首席分析师帕特尔（Dylan Patel）在X上的一篇帖子中，承认了CXMT 的论文，称该公司在最先进的晶体管架构方面取得的进展“打破了美国的制裁”。
2022年8月，美国商务部对4项半导体相关技术实施出口管制，其中包括专门为开发具有环绕闸极场效晶体管（GAAFET）结构的集成电路（IC）而设计的软件。这4种技术也受到1996年多边瓦圣纳协议的保护，中国不是该成员。
自实施管制以来，分析师表示，电子设计自动化（EDA）软件限制将影响大陆开发先进3纳米制程设计和制造的能力。但中国已经证明了自己的韧性，华为技术公司今年稍早推出了Mate 60 Pro智能手机，采用国产芯片，令世界惊叹不已。
华盛顿邮报先前报道，长鑫存储一直在开发高带宽记忆体（HBM）芯片，这种内存已越来越多地被人工智能应用采用，以提高内存堆叠和处理器之间的资料传输速度。
GAA的研究可以追溯到2000年。GAA被认为对下一代逻辑芯片的开发非常重要，因为它可以实现晶体管的持续微缩，这代表在IC上封装更多的晶体管，这是台积电等全球代工厂领先的芯片制程，和三星的技术进一步低于3纳米。
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