新型N型电池路线产业化进展及降本增效路径分析

DT半导体材料 2023-12-12 17:53


一直以来,“降本增效”都是光伏行业的主旋律,并渗透在产业链各个环节中。光伏产业实现降本增效的路径包括硅片大尺寸硅片薄片化提升电池效率等。在中国科学院电工研究所研究员王文静看来,最关键的降本手段就是效率提升。可以说,效率提升是未来整个光伏行业技术创新的方向,也是各家光伏企业竞争的重要环节。随着P型电池接近效率极限,N型电池技术的产业化进展如火如荼,行业内主要组件公司均在 2023年大规模向 N 型技术路线转型。随着业内光伏企业的布局,电池片技术快速进步,TOPCon/HJT/BC电池片在今年均有较大突破。

TOPCon产业化进展及其降本增效路径

TOPCon因其产线易于从PERC电池产线转型的优势率先实现了大规模量产,而且TOPCon电池技术成熟,已具备量产性价比优势。目前行业内领先企业TOPCon电池量产效率已达25.7%,良率超过 98%,技术迭代随着产业化同步进行,量产效率仍有突破空间。TOPCon提效降本手段

  1. 激光SE,预计提效0.2%,23年量产应用;

  2. 双面poly,预计25年量产应用,提效0.5%,难点在工艺复杂性。

  3. 降低Ag-Al 和P ++层的接触电阻,提高电池的开路电压和填充因子

  4. 细化主栅,减少电池表面遮挡:将主栅细化可减少电池表面遮光面积,降低遮光损失,提高电池的转换效率。


TOPCon电池结构示意图


HJT优势与降本增效路径

HJT电池利用本征非晶硅层将衬底与两侧掺杂非晶硅层完全隔开,有效钝化提升效率。目前HJT领先企业电池量产效率已达26%。以华晟新能源、东方日升、爱康为代表的三家领先公司包揽了年度异质结组件大单,全面跃升至GW级。其中,华晟全球累计异质结组件出货超过3GW,公司也在这一年宣布实现盈利。


HJT电池结构示意图


HJT 电池具有高对称性、低温工艺、高开路电压、双面率更高、光照特性好、光照稳定性好等优点:

1.高对称性:HJT电池具备的对称结构可以减少工艺步骤,方便于产业化生产。

2.低温工艺:HJT 电池工艺是基于非晶硅薄膜的 pn 结,最高工艺温度约 200℃,不需要传统晶体硅电池通过热扩散(约 900℃)形成pn 结,不仅实现了制造端的低碳,节约了能源的同时也使硅片的热损伤和形变较小。

3.高开路电压:由于异质结和优异的表面钝化,HJT 电池的开路电压要比常规晶体硅高。

4.温度特性好:通常情况下,光伏组件的实际工作温度通常都会高于标准测试温度25℃,因此电池温度特性对其性能表现非常重要。HJT 电池是带隙较大的a-Si:H 与c-Si形成的异质结,这会使得异质结有更低的温度系数,较高的温度下,HJT有更好的光电转换效率。

5.光照稳定性好:非晶硅薄膜的一大问题是由 Staebler-Wronski 效应导致的光致衰减很严重,而HJT 电池没有此效应,而且用n 型晶硅做衬底的HJT 电池不存在B-O对导致的光致衰减,因此光照稳定性很好。

6.双面发电:得益于 HJT 电池结构的对称性,HJT电池组件后年发电量比单面组件多 20%。

目前的HJT 电池降本路径清晰,多种降本手段如 0BB、银包铜、无铟/低铟靶材技术正在逐步导入,未来放量可期。HJT 的降本途径有:

1.降低金属化成本:通过 0BB 技术、低银浆料、电镀铜等多种手段,降低 HJT 浆料成本,根据东方日升预计,HJT 银浆成本有望从之前 0.2 元/W降至0.05 元/W;

2.薄片化降低硅成本:HJT电池薄片化持续进展,目前硅片厚度有望降至110微米以下,且 HJT 电池对于硅材料容忍度高,可提升边皮料利用进一步降低成本;

3.靶材成本降低:通过导入低铟、无铟工艺降低靶材成本,未来靶材成本有望从0.045元/W降至 0.015 元/W。

BC电池优点与关键工艺挑战

BC电池的正面没有栅线遮挡,最大可能性降低正面光学损失,造型美观,特别适合于分布式场景,隆基绿能、爱旭股份明确聚焦BC电池领域,BC电池目前仍处于技术快速发展期,降本增效还有很大的空间。 从电池结构上看,IBC有以下几个优点:

1.更高的短路电流密度:pn结、基底与发射区的接触电极以叉指形状全部处于电池的背面,正面没有金属电极遮挡,因此具有更高的短路电流密度;

2.更高的开路电压:正面不需要考虑电池的接触电阻问题,可以最优化地设计前表面场和表面钝化,提升电池的开路电压;

3.提升填充因子:正负电极全部在背面,可以采用较宽的金属栅线来降低串联电阻,从而提高填充因子。

IBC电池能够获得较高的转换效率,但是工艺复杂,良率低,成本较高,如何改进设计和工艺,使其满足工业化量产的要求是 IBC 电池研究的重点。IBC 电池的工艺流程大致为:清洗、制绒、扩散(𝑛+)、刻蚀光阻、刻蚀 p 扩散区、扩散(𝑝+)、减反射镀膜、热氧化、丝网印刷电极、烧结、激光烧结。

IBC 的关键工艺技术挑战

1.前表面陷光和钝化要求较高:为了保证光生载流子在流动到背面电极前不被复合,需要对前表面进行很好的钝化,降低表面的复合速率;

2.电池背面叉指状间隔排列的p 区和 n 区制备:在电池背面制备出质量较好、呈叉指状间隔排列的 p 区和n 区掺杂区,掺杂浓度和分布至关重要;

3.背面栅线金属化设计:IBC 电池的栅线都在背面,可以更加灵活地设计栅线,采用栅线宽度加宽或者高度增加的方式,降低串联电阻。金属接触区的复合通常都较大,所以需要降低栅线接触区域面积,降低复合,提升开路电压;

4.工艺复杂:从技术层面上来看,BC 电池制成流程复杂,技术难度大、对材料的要求高、成本难受控制,对硅片少子寿命要求高,未来还需要解决系列问题,包括制备流程长,成本与一致性等问题。

新型电池技术路线参数对比

首先,三种技术路线均能实现24%以上的量产效率。目前,在成本端TOPCon的单W成本低于HJT。

在工艺复杂度上的关系:HJT(4-6道)≥IBC(4-6道)>PERC(8-10道)>TOPCon(12-13道);

而工艺难度:HJT≥IBC>TOPCon>PERC;

量产成熟度:TOPCon(已成熟)>HJT(基本成熟)>IBC(待成熟)。

新型电池技术路线参数对比        来源:国信证券

部分消息来源: ForceInstitute、信达证券、国信证券、平安证券

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