点击蓝字 关注我们
2021 年7月，普渡大学在西德克萨斯州联邦法院起诉意法半导体公司（“ST-INC”）侵犯美国专利第 7, 498, 633 号（“'633 专利”）和 8, 035, 112专利号。
7,498,633 涵盖了普渡大学的 James Cooper 教授和他的研究生/博士后研究员 Asmita Saha 发明的涉及碳化硅半导体的突破性技术专利。该技术涉及高压电源应用中使用的半导体器件，于 2006 年获得了专利保护。
根据普渡大学向美国地区法官艾伦·奥尔布赖特 (Alan Albright) 专利密集的韦科法院提起的诉讼称，意法半导体用于太阳能 HVAC 系统、汽车充电站和其他可再生能源产品的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 侵犯了专利权。
此后不久，印第安纳州西拉斐特大学去年撤销了该案中的一项专利。ST顺势否认了普渡大学的指控，并辩称普渡大学剩余的专利无效。
但该起案件的最终裁决还未完全落地，当天意法半导体通过电子邮件告诉IBJ，它不同意陪审团的裁决，并计划向美国上诉法院提起上诉。
近日，国内知名碳化硅行业自媒体平台《碳化硅芯片学习笔记》的作者发表文章观点称：“这个行业曾一度认为，碳化硅沟槽MOS有结构专利IP的壁垒问题，但平面MOSFET应该是没有专利问题的。
因此，要搞产品，先做平面MOSFET成了最合理的商业选择，哪怕沟槽MOS已经发展到第四代，有点像硅IGBT当年最赚钱的第四代沟槽IGBT，但碳化硅这种现状，做平面MOSFET避开沟槽有限的三种基础结构专利IP问题，也许是最明智的选择。现在看起来，可能不尽然！"
至于为什么《碳化硅芯片学习笔记》的作者有这个看法，我想应该是633这个专利的结构图业内人士都非常熟悉，大部分以平面结构在设计碳化硅芯片的企业都或多或少的与这个结构有关联技术。
除此之外，该诉讼案件坐在被告席的还有Wolfspeed，甚至在今年初美国总统访问WOLF后，还被媒体指控美国政府插手该起案件的判决，原因是在美国总统访问后两天美国专利和商标局局长凯西·维达尔（Kathy Vidal）干预了普渡大学和沃尔夫速特的专利纠纷。但本次干预并没有取消普渡大学对于WOLF的指控，预计此次针对ST的判决结束后，紧接着应该就会看到对于Wolfspeed专利案的判决了。
可以看到致力于平面结构的两家头部大厂，都在本次专利案件充足的证据链前无法快速抽身，可见碳化硅芯片的IP之争，烽烟骤起！
我们找到了93页本次专利案相关文件
如有需要阅览全文
可以添加文末小编微信：
■ 扫码领取完整版
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，碳化硅芯观察转载仅为了传达观点，仅代表碳化硅芯观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系碳化硅芯观察。
