台积电“1年豁免”,韩国三星、SK海力士永久豁免,为何美国区别对待?

原创 深圳飙叔 2023-10-14 17:38

北京时间10月13日,中国台湾地区“经济部长”王美花周五表示,美国已经延长了台积电的芯片设备豁免期,该公司可继续向内地工厂供应美国芯片设备。

本周早些时候,韩国芯片制造商三星电子、SK海力士已得到美国无限期豁免,可为中国内地工厂进口美国芯片制造设备。

对于台积电而言,得到“一年豁免”固然是一个好消息,但就如台湾岛内舆论对于其或仅有1年的期限,尤为不平。

台湾“中天新闻网”13日称,相较于韩国厂商,美国对台积电管控更严,存在“明显差别待遇”,台积电“形同遭受二等待遇”

“如此这般的‘大小眼’!”台湾“风传媒”13日社论指出,虽然同样是得到“豁免延续”,但两地厂商待遇存在天壤之别。

美国为何如此区别对待台积电?

一、韩国政府积极周旋,台湾跪得彻底

首先,韩国方面过去一年来,韩国政府和相关企业一直在积极与美国政府进行斡旋,并且在一年豁免期上再接再厉,最终促成无限期豁免。

另外韩国政府也比较强硬,比如日前,韩国国会议员兼半导体专家梁香子接受采访时批评了拜登政府的芯片战略,称“拜登政府遏制中国获取或生产先进芯片能力的做法有可能破坏美国与亚洲盟友的关系。”他还直言,美国越“制裁”中国,中国就越会努力快速实现技术进步,并为此提供更多国家支持。鉴于中国拥有丰富的人才和原材料,这将给韩国带来危机。

而反观台湾当局对美国几乎是“百依百顺”,既然都跪下了,那美国还客气什么呢?

二、韩国优势的存储芯片已经破防

众所周知,韩国存储芯片在全球占据垄断地位,三星和SK海力士合计占据全球近70%的DRAM市场和50%的NAND闪存市场。而中国是他们重要的生产基地,其中三星约40%的NAND闪存芯片在西安工厂生产;SK海力士约40%的DRAM芯片在无锡生产,20%的NAND闪存芯片在大连生产。同时,中国占据韩国芯片厂商将大约60%的芯片出口。

然而,2022年10月7日,美国升级对华半导体行业的出口管制措施,包括限制用于在中国生产18纳米及以下DRAM、128层及以上NAND、14纳米及以下逻辑芯片的生产设备的出口。

但大家都知道,目前国内整个芯片产业中,国产存储芯片无论是技术能力、还是制造能力、以及后续的研发能力都已经站在了全球第一阵营了。其中以长江存储和长鑫科技为代表。

比如长江储存于2022年率先实现232层3DNAND闪存的量产,打破了三星、SK海力士、美光等国际巨头的技术垄断
长鑫科技是中国大陆规模最大、技术最先进的DRAM设计制造一体化企业,也是我国唯一一家使用20nm以下制程生产DRAM的企业。对于国产存储芯片受制裁影响,可参考飙叔小文:深度分析!华为Mate60没用国产存储芯片,而选用韩国SK海力士!

因此,可以说在存储芯片领域,已经破防了,大规模的国产替代已经来临;假以时日,也就3-5年存储芯片可能将颠覆全球市场格局。美国已经无力在此领域对中国构成威胁,自此韩国三星、SK海力士也就沦为“弃子”了。

三、台积电芯片制造制裁效果明显

我们都知道台湾半导体产业最强的板块无疑就是芯片代工制造。以2023第二季度为例,芯片制造的全球十强中有4家是中国台湾企业,除了大家熟知的台积电之外,还有联电、力晶、世界先进等,成为全球半导体非常重要的一极。其中台积电的市场份额高达56.4%,可以说是遥遥领先了!如图:

台积电作为半导体领域的巨头,站在半导体制造的制高点,在7nm以下的芯片制造占了全球90%以上的市场。台积电何去何从可参看飙叔小文:台积电在中美两边都陷入死局,将何去何从呢?

而美国对中国制裁最狠的一招恰恰就是在芯片代工制造,2022年10月,美国发布史上最严格的禁令,明确打压三类最重要的半导体产品,分别是采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶体管结构的逻辑芯片、半间距小于等于18nm的DRAM存储芯片和128层及以上的NAND闪存芯片。

目前对于国产芯片最主要的障碍就是在于“如何生产制造出7nm以下制程的高端芯片”,这也是最近华为Mate60系列手机发售之后,确认其麒麟9000s芯片为7nm的重要意义,也是国内半导体产业界甚至全国群情澎湃的原因所在。

然而,这扼住脖子的钥匙恰恰就掌握在“台积电们”的手上,因此美国对于台积电的区别对待也就不用感到“不公平”了。何况,对于可以随便拿捏的台湾当局,即使没有这个原因美国也照样可以“随意处置”的。

因此,对于台湾媒体对台积电大叫“真是委屈了!”,既然认爹了,那又是何必委屈呢?

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