随着半导体组件制程逼近物理极限，允许将多个组件合并封装成为单一电子组件，进而提升半导体性能的先进封装技术便成为竞争关键。
三星正在准备自己的先进封装解决方案，以与台积电的CoWoS封装技术展开竞争。
据悉，三星计划2024年推出先进3D芯片封装技术SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高级互连技术），能以更小尺寸的封装，将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成。三星SAINT将被用来制定各种不同的解决方案，可提供三种类型的封装技术，其中包括：
SAINT S - 用于垂直堆叠SRAM存储芯片和CPU
SAINT D - 用于垂直封装CPU、GPU和DRAM等核心IP
SAINT L - 用于堆叠应用处理器（AP）
三星已经通过验证测试，但计划与客户进一步测试后，将于明年晚些时候扩大其服务范围，目标是提高数据中心AI芯片及内置AI功能手机应用处理器的性能。
如果一切按计划进行，三星SAINT有潜力从竞争对手那里获得部分市场份额，不过英伟达和AMD等公司是否会对他们提供的技术感到满意还有待观察。
据报道，三星正在争夺大量HBM内存订单，这些订单将继续为英伟达下一代Blackwell AI GPU提供支持。三星最新推出了Shinebolt“HBM3e”内存，还赢得了AMD下一代Instinct加速器的订单，但与控制着约90%人工智能市场的英伟达相比，该订单比例要低得多。预计两家公司的HBM3订单将在2025年之前预订并售完，目前市场对AI GPU的需求仍保持旺盛。
随着公司从单片设计转向基于Chiplet（小芯片）的架构，先进封装是前进的方向。
台积电正在扩大CoWoS设施，同时大手笔斥资测试和升级自家3D堆叠技术SoIC，以满足苹果和英伟达等客户需求。台积电今年7月表示，投资900亿元新台币（约29亿美元）新建先进封装厂；至于英特尔，开始使用自家新一代3D芯片封装技术Fooveros制造先进芯片。
世界第三大晶圆代工厂联电（UMC）推出晶圆对晶圆（Wafer-to-Wafer，W2W）3D IC项目，利用硅堆叠技术提供高效集成内存和处理器的尖端解决方案。
联电表示，W2W 3D IC项目雄心勃勃，与日月光、华邦、智原科技（Faraday）和Cadence Design Systems等先进封装厂及服务公司合作，以便充分利用3D芯片集成技术满足边缘AI应用的特定需求。
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