近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。
据介绍，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹，翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓度约8×1013cm-2、2DEG迁移率大于2000 cm2/Vs，片内与片间不均匀性小于1%，可以满足电力电子领域功率器件开发与应用需求。
中科重仪表示，其自主研发的电力电子方向硅基氮化镓外延片生产线具有气源预处理功能，核心反应腔内对温场、流场均匀性强化控制，加入应力翘曲模型，更加适合大尺寸氮化镓材料生长。同时自动化控制、监测、分析平台，可快速优化外延片生长工艺，缩短工艺调整周期。经过抗压测试和材料生长结果表明，设备具有很好的稳定性和工艺重复性。
2023年，中科重仪在苏州吴江区建立了国内首条采用国产化MOCVD设备生产的8英寸硅基氮化镓外延产线，单条产线年产能达5000片。投入运营后，将实现氮化镓材料综合生产成本降低50%以上，为市场提供氮化镓外延片产品，更好地助力电力电子器件实现高性能、高可靠性及低成本的生产目标。
来源：全球半导体观察
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