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NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
NOR Flash是Intel于1988年首先开发出来的存储技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NAND Flash是东芝公司于1989年发布的存储结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
图:NAND=NOT AND(与非门), NOR=NOT OR(或非门)
两者都是非易失性存储器，可以在断电后保持存储的数据。
两者在写之前都要先擦除，擦除是将所有位变为1，而写操作只能使1变成0
NOR Flash和NAND Flash各有其优势和应用场景，设计者可以根据产品需求来进行选择，两者的主要不同点如下：NOR Flash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。
NAND Flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据。
NAND Flash的生产过程更简单，容量更大，价格更低。NAND Flash中的坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。NAND Flash中每个块的最大擦写次数是十万次。NOR Flash的读速度比NAND Flash快。
NAND Flash的写入和擦除速度比NOR Flash快很多。总的来说，NOR 的优势在于随机读取与擦写寿命，因此适合用来存储代码和关键数据；NAND 的优势在于单位比特成本，花同样的钱可以获得更大的容量。
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