近日晶飞半导体完成数千万天使轮融资，由无限基金SEE Fund领投，德联资本和中科神光跟投。本轮融资主要用于技术研发、市场拓展以及团队建设。
晶飞半导体专注于激光垂直剥离技术研究，旨在实现对第三代半导体材料的精准剥离，以有效降低碳化硅衬底的生产成本。相较于传统金刚线切割工艺，激光垂直剥离技术可完成高效、精准的材料剥离，同时减少了碳化硅晶圆的损伤，从而解决了加工速度低、损耗大、成本高等问题。
此前，我们在《碳化硅材料切割的下一局：激光切割》这篇文章中介绍了碳化硅衬底切割技术的现状。目前，碳化硅衬底主流的切割技术包括砂浆线切割、金刚石线切割等，然而传统切割技术的损耗率太高，而且工时太长。以砂浆线切割为例，多达40%的碳化硅晶锭以粉尘的形式浪费掉，而且切割线的高速行走过程还会造成20~50μm的粗糙起伏与表面/亚表面结构损伤，据分析，碳化硅多线切割技术的总材料损耗量高达30%~50%。同时，切制一块6英寸SiC晶锭通常需要150个小时左右，不利于SiC衬底的快速交付。另外，切割后的衬底Ra值较大，还需要进行粗磨、精磨和CMP三道处理工艺，合计耗时超过5天。
如果改用激光剥离技术，则有望极大降低碳化硅衬底成本。激光剥离技术是通过激光处理，在碳化硅晶锭内部形成改质层，从而在碳化硅晶锭上剥离出晶圆。这种技术具有材料损耗低、加工效率高、出片数量多等优势，总材料损耗率可降至30%-50%左右（视晶锭类型而定）。如果激光剥离技术成功应用于碳化硅衬底的量产，必将为碳化硅产业带来轻资产、高效益的新模式，有望进一步降低碳化硅器件成本，推动碳化硅器件在更广领域的应用。晶飞半导体致力于研究激光垂直剥离技术研究，公司主打产品为碳化硅晶圆激光垂直剥离设备。激光垂直改质剥离设备被誉为“第三代半导体中的光刻机”。
据晶飞半导体称，激光剥离几乎可完全避免常规的多线切割技术导致的切割损耗，仅需将剥离的晶片进行研磨抛光，因此可将每片碳化硅衬底的平均加工损耗大幅降低至100μm以下，从而在等量原料的情况下提升碳化硅衬底产量。此外，激光剥离技术还可应用于器件晶圆的减薄过程，实现被剥离晶片的二次利用。
碳化硅激光剥离技术演示图
据悉，在6英寸和8英寸碳化硅衬底激光垂直剥离技术的研发方面，晶飞半导体创始团队致力于激光精细微加工领域，以超快激光技术，提供超薄、超硬、脆性材料激光解决方案。对于厚度为 2 cm的晶锭，使用金刚线切割晶圆产出量约为 30 片，然而采用激光剥离技术晶圆产出量约为 45 片，增加了约 50 %。
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