D1Beta DRAM
芝能科技出品
在没有采用EUV光刻的情况下，将DRAM尺寸缩放至亚15纳米水平被认为是一项艰巨的挑战。Micron成功地克服了这一障碍，不仅开发了Diz和Dla的高产制造工艺，还在没有EUV光刻的情况下成功开发了D1B。Micron创新的多重图案化方法成为EUV光刻的经济替代方案。Micron的D1B DRAM预计将在2024年和2025年取代当前DDR和LPDDR市场的主流产品Diz和Dia，扩展应用至GDDR和HBM，内存技术的飞跃给产业带来了很大的推动。
Micron的D1B DRAM制程采用高介电金属栅（HKMG），并且不依赖EUV光刻。与先前的LPDDR5/5X Dia 16Gb芯片相比，内存密度增加了42%，而芯片尺寸更小，为36.78 mm2。
使用DRAM在其最终产品设计中以实现更低成本、更高位密度、更高速度和更低功耗的移动电话和边缘设备制造商将受益于Micron的D1B DRAM。
预计Samsung和SK Hynix将在2023年或2024年开始D1B DRAM的高产量大规模生产， Samsung和SK Hynix正在利用EUV光刻技术开发DiB技术。非EUV光刻与EUV光刻在DRAM制程中的竞争推动了技术的进步。值得注意的是，Micron的D1B设计和制程扩展了DRAM的ArFi用例，挑战了EUV光刻对亚13纳米DRAM单元集成的传统信仰。正常产量下的更高密度意味着更低的成本和功耗。更低的功耗有助于延长移动电话电池寿命，而更高的速度则支持移动电话和边缘设备应用所需的5G和人工智能的高数据吞吐量。
Micron的D1B制程展示了ArFi光刻技术在亚13纳米DRAM节点上的可扩展性，并有望扩展到PC、服务器高性能计算（HPC）和汽车应用的高带宽内存（HBM）。
