插播：12月13-14日，英飞凌、意法半导体、罗姆、安森美、三安、烁科晶体、中科院物理所、普兴电子、飞锃半导体、安世半导体、华灿光电、百识电子、爱发科以及南方半导体等企业，将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。
今天，英诺赛科又宣布2件大事：
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活动现场，英诺赛科还举行了“8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式。
据介绍，中国农业银行股份有限公司苏州长三角一体化示范区分行将牵头组建银团向英诺赛科提供八年期、最高达13亿元人民币的项目融资贷款，以用于支持英诺赛科未来两年的扩产计划。
英诺赛科成立于2015年，是全球领先的氮化镓IDM企业，早在2017年11月就在珠海建成投产全球首条8英寸硅基氮化镓生产线。2018年6月，英诺赛科苏州项目正式落户；2021年6月，英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓生产线宣布量产。
在氮化镓领域中，英诺赛科创下了多个“第一”：
出货量第一：截至2023年8月，其氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗；
2017年11月，其自主研发的中国第一条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海通线投产；
英诺赛科被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，其苏州8英寸硅基氮化镓工厂是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；
2022年，GaN HEMT器件出货量率先突破1亿颗；
在国内第一个将低压GaN器件应用在激光雷达中；
全球首个将氮化镓植入手机内部，实现电源分配管理。
