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根据美国《旧金山纪事报》（San Francisco Chronicle）发出的讣告，半导体界大师级教授施敏（Simon Sze），在美国当地时间 6 日安祥离世，享年 87 岁。
据悉，施敏系中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士。
中国工程院官方网站上对施敏的成就介绍中写道：在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术的研发中，施敏博士的贡献具有奠基性和开创性的意义。
尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器（NVSM），影响深远，随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器（EEPROM）在内的大量储存设备。NVSM的问世，促成了功能更为强大的信息储存技术的发展，它们应用广泛，人类受益无穷。
根据《旧金山纪事报》发布的讣告信息，施敏于1936年3月21日出生于上海 ，他的早年生活充满求知欲和对科学的热情。
施敏，1936年3月21日出生于江苏省南京市。1957 年毕业于台湾大学电机工程系，之后至美国留学，1960 年在华盛顿大学取得硕士学位。施敏也与张忠谋师出同门，和不久前过世的华泰电子创办人杜俊元一样，三人指导教授皆为John Moll。
施敏和张忠谋同为美国斯坦福大学电机博士，1963年毕业后正直美国半导体公司快速扩张，贝尔实验室、通用电子、西屋电子、惠普、IBM、RCA等都为施敏开出了很高的薪资（12000-14400美元之间），给出的工作岗位分别是：通用电子的功率半导体部门、贝尔实验室的半导体部门、IBM的显示部门。
施敏听从John Moll教授的忠告，选择进入美国知名研发重镇贝尔实验室（Bell Labs）工作，直到 1989 年退休。从1963年到1972年，施敏每年发表的论文超过10篇。
1967 年，施敏和韩裔同事姜大元（Dawon Kahng） 休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动了二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加入一层金属层。后来两人发明了世界上第一个浮栅非挥发MOS场效应记忆晶体管（Non-Volatile Semiconductor Memory，NVSM），论文发布在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上。
这项技术使得晶体管的栅极由上而下分别为金属层、氧化层、金属浮栅层、一层较薄的氧化层，以及最下面的半导体，而中间的金属层因为上、下都是绝缘的氧化层，在施加电压时，可以将电子吸进去保存，改变电路的导通性，而这层金属的上、下都是绝缘体，如果不再度施加反向电压的话，电荷会一直保存在里面，断电后资料也不会消失。
这也是现今闪存（NAND Flash）技术的基础，虽然在1967年提出该技术时，在业界没有掀起太大涟漪，但好技术终究不寂寞，30年后闪存成了各项消费电子产品所使用的关键零件之一，是半导体技术的重大突破之一。
有了轻巧省电的“非挥发性内存”后，结合了“电话”、“微波通信”及“晶体管”这4大发明，促成了1979年手机的诞生。如今更被广泛应用在汽车、商务、医疗、自动控制及各种大大小小的智能家电产品上。
施敏在微电子科学技术著作方面举世闻名，他所著的《半导体元件物理学》(Physics of Semiconductor Devices) 是目前全世界所有工程及应用科学领域最畅销的书之一，曾被翻译成六种语言，销售超过100万册，被引用次数达两万多次，有“半导体界的圣经”之称。
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