美国资助格罗方德生产氮化镓！

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11月2日，据外媒报道，晶圆代工厂格罗方德 (GlobalFoundries) 从美国政府获 3,500 万美元联邦补助，加速佛蒙特州 Essex Junction 晶圆厂生产第三类半导体氮化镓（GaN）！

美媒报导，这笔资金使格罗方德大规模生产 GaN 芯片，对处理高电压和高温环境独一无二，为基础设施、手机、汽车、工业物联网（IoT）、电网和其他关键基础设施 5G 和 6G 通讯提供改变游戏规则的性能和效率。

美国防部补助 31 亿美元，格罗方德计划购买工具扩大开发设计，更接近大规模生产 8 吋 GaN 芯片。格罗方德投资计划为减少公司及客户对镓 (Ga) 供应链限制的风险，同时提高美国制造 GaN 芯片速度、供应能力和竞争力。

格罗方德总裁兼执行长 Thomas Caulfield 表示，GaN 是高性能射频、高压功率开关等新兴市场的控制应用理想技术，对 6G 无线通信、工业物联网和电动车产生重大影响。格罗方德与美国政府长期合作，补助对 GaN 芯片接近量产大有帮助，也使格罗方德客户研究大胆新设计，突破关键技术能耗和性能极限。

格罗方德的佛蒙特州伯灵顿附近 Essex Junction 晶圆厂为美国最早主要半导体制造基地，约 1,800 员工。此厂生产芯片将用于智能手机、汽车和通讯基础设施，也是 DMEA 认证的可信赖晶圆厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国敏感航空航天和国防系统。

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