10月30日，为期三天的慕尼黑华南电子展 (electronica South China) 在深圳会展中心盛大开幕。
慕尼黑华南电子展立足粤港澳大湾区，辐射华南、西南及东南亚市场，以“融合创新”为主题，聚焦 5G、物联网、汽车碳中和、第三代半导体、工业自动化、机器视觉可穿戴、消费电子、智能家居等热门技术应用汇聚国内外知名企业，吸引行业优质买家及精英，为蓬勃发展的华南地区电子产业带来创新与活力,为经济复苏献力。
据TrendForce集邦咨询了解到，此次展会，意法半导体、瀚薪科技、泰科天润、爱仕特、华润微电子、飞锃半导体、芯导科技、国星光电、蓉矽半导体、银河微电、应能微电子、美浦森半导体、翠展微电子、中瑞宏芯等企业携旗下SiC和GaN的新研发成果和先进技术亮相，面向工业、能源、汽车和消费电子等领域。
本次展会，芯导科技带来了多种GaN和SiC功率器件。
SiC方面，公司展示了650V/1200V/1700V SiC MOSFET和SiC SBD。GaN方面，其展出了40V~650V GaN HEMT和GaN Power IC。
芯导科技专注于功率IC（锂电池充电管理 IC、OVP过压保护 IC、音频功率放大器、GaN 驱动与控制IC、DC/DC电源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等）的开发及应用。
国星光电在此次活动中携带GaN和SiC功率器件亮相。GaN方面，国星光电展示了GaN SIP 合封器件、GaN恒压电源、GaN场效应晶体管以及33W快充墙插。
国星光电推出的GaN驱动电源的开关频率高、体积缩小了1/3、重量更轻且电源系统结构更加紧凑，功率密度高。其拥有极低的功率损耗，转换效率高。相比于Si基，工作温度更高，恶劣工况环境适应能力得到了提升。该驱动电源可用于LED照明、整屋低压供电、低压电机驱动等应用。
SiC方面，国星光电带来了多样式SiC分立器件和SiC功率模块。国星光电推出了超薄内绝缘SiC分立器件，该产品采用了自有的专利技术，让产品尺寸降低了30%，性能更稳定。国星光电还展示了获得车规级认证 SiC-MOSFET和 SiC-SBD，可满足各大主流汽车厂家对高可靠性功率器件的要求。瀚薪科技在本次展会中重磅推出650V和1200V低内阻产品，1700V系列新品和H4S系列第四代Diode，T2PAK等产品。
瀚薪科技是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家能大规模量产车规级SiC MOSFET管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司。在此次展会上,华润微电子携功率器件和模块产品 (低压MOSFET、SiC、IGBT、GaN) 、IPM配套方案、MCU安全芯片、MEMS安全芯片等丰富产品亮相。
华润微电子是拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的IDM半导体企业，公司产品设计自主、制造过程可控，在分立器件及集成电路领域均已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。
银河微电是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，具备IDM模式下的一体化经营能力。在本次展会上，其推出了650V/1200V SiC肖特基二极管产品，为工程师设计各种应用的转换电路提供了理想的解决方案。应能微电子作为领先的高性能保护器件和功率半导体芯片设计研发商参加了此次盛会，并展示包含6英寸SiC晶圆板和SiC MOSFET在内的众多新产品和行业解决方案。飞锃半导体在展台上集中展示一系列创新成果，包括SiC MOSFET、SiC二极管、SiC功率模块，用于新能源汽车和光伏储能等热门领域。飞锃半导体成立至今一直对技术创新持续投入和积累，随着第三代SiC MOSFET通过可靠性测试认证，飞锃半导体进一步丰富了SiC MOSFET产品线。本次展出的第三代1200V 14/18/30/40/80mohm SiC MOSFET，可广泛应用于充电桩、光伏&储能、车载OBC/DCDC/主驱等领域。
美浦森半导体携6英寸SiC 减薄晶圆以及SiC DIODE产品亮相。
美浦森半导体是一家专业功率半导体元器件全产业链公司。目前，美浦森半导体MOSFET和SiC系列产品在LED电源、PD电源、PC和服务器电源、光伏逆变、UPS、充电桩、智能家居、BLDC、BMS、小家电等领域得到广泛应用。
作为一家致力于第三代宽禁带半导体SiC功率器件设计与开发的高新技术企业，蓉矽半导体携旗下明星产品在展会上亮相。
本次蓉矽半导体重点展示了1200V 75/40/12mΩ NovuSiC® MOSFET与1200V 10/20/30A NovuSiC® EJBS™。在20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%；降低总损耗50%以上；提升效率约2%，峰值可达97%以上。在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。
本次慕尼黑华南电子展上，意法半导体（ST）为观众带来智能出行、电源与能源、物联网&互联等三大板块的产品和智能解决方案。ST重点展示人工智能，个人居家用品及工业应用等创新型解决方案；旨在展现产品与技术的同时，充分传达ST的可持续发展理念；并通过ST的技术、产品和解决方案让日常应用变得更智能、更安全、更节能。
泰科天润在本次慕展上展出了SiC MOSFET、650V/60A混合单管、1700V/0.5A SMA封装SiC二极管和2000V系列产品。据工作人员介绍，他们还带来了目前业界最小SiC器件，封装尺寸仅为1.8*3.7*1.15mm，电压电源为650V~1200V（1A）。
除此之外，泰科天润还推出了GaN+SiC的140W适配方案。
爱仕特携最新SiC MOSFET系列产品以及全系车规级SiC功率模块及应用解决方案亮相本次展会。爱仕特重点展出了SiC功率器件、电机控制器等方案，为众多不同领域客户提供丰富的产品组合和稳定可靠的应用方案，目前已实现电压650~3300V，电流5~150A的SiC MOSFET量产供货。
本次展会，中瑞宏芯主要展出的产品包括：1200V/13mΩ SiC MOSFET、Six-pack三相全SiC模块、1200V/80mΩ车规级SiC MOSFET以及650V~1700V全系列全规格不同封装形式的SiC JBS和SiC MOSFET。
中瑞宏芯在SiC功率半导体领域已全面掌握从芯片设计、仿真建模到测试应用、量产导入全流程know-how，产品主要包括SiC肖特基二极管JBS和SiC MOSFET功率器件等。作为一家具备4条功率器件封测线，汽车模块年产能接近70万只的中国本土功率器件公司，翠展微电子带来了全新的TPAK封装解决方案。
TPAK封装尺寸既可布置单颗晶圆芯片，也可并联两颗晶圆芯片，特别是应对成本较高的SiC，降本优势更为明显。
翠展微电子硬件研发经理凌欢表示：“TPAK封装是专门为克服TO-247等封装方案缺陷而设计的解决方案，采用该封装方案的产品已经在特斯拉Model 3、Model Y等车型上得到批量应用，目前国内也有一些车型正在验证，相信采用TPAK封装方案的功率器件产品将会在接下来几年内得到大力推广。”翠展微电子已在开发基于TPAK封装的SiC器件，据凌欢透露，首款5.5mΩ/1200V SiC模块产品预计于2024年Q2量产上市。
TrendForce集邦咨询新推出《2023中国SiC功率半导体市场分析报告》，聚焦中国市场发展，重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录：
如需购买或定制报告请联系：
王春胜Perry Wang
手机：13825284100 （微信同号）
邮箱：perrywang@trendforce.cn
王天楷Kevin Wang
手机: 13424253523（微信同号）
邮箱: kevinwang@trendforce.cn
