基本半导体推出新SiCMOSFET

化合物半导体市场 2023-10-30 17:45

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在10月26-27日举办的2023基本创新日活动上，基本半导体正式发布了第二代SiC MOSFET芯片、汽车级及工业级SiC MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品。

据介绍，基本半导体第二代SiC MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在品质系数因子、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。同时，产品的封装更为丰富，以更好满足客户需求，可广泛应用于新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS及PFC电源等领域。

今年基本半导体还将推出更大导通电流、更低导通电阻以及更高耐压的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ SiC MOSFET芯片系列产品，并开发了2000V/40A SiC二极管芯片进行配合使用。

基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计开发了高低压系列汽车级SiC MOSFET功率模块，并在此次发布会上整体亮相，包括PcoreTM6汽车级HPD模块（6芯片并联、8芯片并联）、PcoreTM2汽车级DCM模块、PcoreTM1汽车级TPAK模块、PcellTM汽车级模块等。

图：基本半导体

该系列汽车级功率模块采用先进的有压型银烧结工艺、高性能铜线键合技术、铜排互连技术以及直接水冷的PinFin结构，使得产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点。

为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体推出工业级全SiC MOSFET 功率模块PcoreTM2 E2B，该产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。产品可广泛应用于大功率充电桩、燃料电池DCDC器、数据中心UPS、高频DCDC变换器、高端电焊机、光伏逆变器等领域。

图：基本半导体

基本半导体针对多种应用场景研发推出SiC及IGBT门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用，新产品包括单、双通道隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。产品可广泛用于光伏储能、新能源汽车、工业电源、商用空调等领域。

图：基本半导体

同时，基本半导体还推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用SiC驱动器，以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驱动器，产品集成软关断、隔离DC/DC电源、原副边欠压保护和VCE短路保护等功能，可适配功率器件最高电压2300V，可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、风电变流器、电机传动、大功率开关电源等领域。

图：基本半导体

据TrendForce集邦咨询新推出《2023中国SiC功率半导体市场分析报告》显示，从产业结构来看，中国的SiC功率半导体产值以功率元件业（包含Fabless、IDM以及Foundry）占比最高，达42.4%。按2022年应用结构来看，光伏储能为中国SiC市场最大应用场景，占比约38.9%，接续为汽车、工业以及充电桩等。汽车市场作为未来发展主轴，即将超越光伏储能应用，其份额至2026年有望攀升至60.1%。

在此情况下，中国已有约70家厂商切入SiC功率元件业务，整体市场进入高度竞争阶段。

作为一家专业从事SiC功率器件的研发与产业化的公司，为了抢占更多市场，基本半导体在SiC功率器件的开发以及生产方面下了大功夫。

基本半导体在去年9月完成C4轮融资之后，就往迭代SiC MOSFET产品和扩大产能方向一路疾驰。

2022年12月，基本半导体无锡汽车级SiC功率模块产线实现全面量产，年产能达25万只模块，2025年将提升至150万只。

今年4月，基本半导体坐落在深圳的车规级SiC芯片产线正式通线，该产线厂区具备年产1.8万片6英寸SiC MOSFET晶圆的能力，二期计划扩产至7.2万片。按照1片6英寸晶圆能够满足7辆新能源汽车的SiC功率芯片需求估算，产线每年可保障约50万辆新能源汽车的需求。

基本半导体推出以上新品SiC MOSFET可以视为对逐渐白热化市场的亮剑，对进一步推进国内生产高质量SiC MOSFET起到了积极作用。（文：化合物半导体Morty整理）

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