10月27日，据彭博社报道，“浸没式光刻之父”、台积电前研发副总林本坚（Burn J.Lin）本周在新竹国立清华大学接受采访时说，美国无法阻止中国大陆公司在芯片技术方面取得的进步，并表示中国应该能够利用现有设备推进到下一代5纳米工艺。
林本坚表示，除了努力达到5纳米的里程碑，中国很可能还会试验新材料或先进的芯片封装，以制造更强大的半导体。彭博社称，林本坚的看法与Arm CEO Rene Haas言论一致。
在上周10月17日美国更新了高级计算芯片、半导体设备出口管制规，针对去年10月7日规则进一步细化，包括非美国制造的用于开发或生产先进制程集成电路的光刻设备均受到管制（ECCN编码3B001.f.1.b.2.b下物项的最低成分含量标准由25%降至0%）、细化美国人员限制、扩大限制至美国实施武器禁运的21个国家等规则，Arm CEO Rene Haas随后表示，美国政府发布了一份大约450页的限制通知，Arm目前正在对其进行评估，美国切断中国获得精密半导体的目标将很难通过出口管制来实现。
据彭博社此次报道，林本坚说：“中国正在采取全面战略来发展其芯片产业，美国真正应该做的是专注于保持其芯片设计的领先地位，而不是试图限制中国的进步，这是徒劳的，并会损害全球经济”。
值得一提的是，据报道，台积电创办人张忠谋26日在美国纽约出席活动时也表示，美国想拖慢中国半导体发展，但“脱钩”最终可能伤害所有人。
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