经历漫长寒冬后，存储芯片市场终于出现了一丝复苏曙光。
随着三星、美光、SK海力士、铠侠等存储芯片大厂纷纷宣布减产，再加上消费电子行业进入传统旺季，存储芯片再次吹起涨价的风。
近日，据媒体报道，三星和SK海力士已开启涨价模式，将调涨DRAM和NAND Flash合约价，涨幅达到10-20%。
不少机构也表示，上游原厂减产策略效果显著，终端客户备货意愿加强，上调存储芯片涨价预期。
进入2023年Q4，存储芯片现货行情怎么样了？
存储芯片市场以DRAM和NAND Flash为主，下面整理了DRAM和NAND Flash最新现货行情，仅供参考。
一、DRAM
DRAM现货价格呈反弹趋势，正在全线走高。
其中，以DDR5最 先反弹，价格率先调涨。而市场最多库存的DDR4 8G，也已由微幅下滑，转为开始上扬，现在DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨。
据Quiksol市场报告，目前DDR3部分2GB市场价格在1-1.03美元区间波动，4GB市场价格在1.08-1.10美元区间波动，而DDR4部分涨幅明显，美光DDR4 8GB市场价格已经来到1.90美元左右，有可能还会继续涨价。
此外，Trend Force集邦咨询指出，DDR5有望2024下半年超过DDR4成为主流。随着DDR5进入高速增长期，预计高价位的DDR5产品将面临供应短缺问题，这一波将带动DRAM市场涨幅。
有消息称，三星为了应对明年可能出现的DDR5强劲订单需求，计划今年Q4提高DDR5产量。
二、NAND Flash
原厂严控产出，先前库存加速消耗，NAND Flash现货价格将在2023年Q4小幅上涨。
据业界人士预估，NAND Flash Q4价差持续收敛，并有机会出现货价与合约价黄金交叉，预估Q4产品平均单价涨幅为5-10%。
从各大原厂来看，旺宏Q4市场价格虽仍有些许下跌，但预计会是最后一波跌势，明年Q1价格有望上涨。华邦正在逐步控制低价出货，市场价格微涨或持稳。
此外，铠侠减产措施初见成效，Q4市场价格预计上涨5-10%左右，但最终涨价持续多久还要看市场需求。而美光方面，NOR Flash和NAND flash均有上涨，订货报价明显提高，但是评估需求端，并未明显好转。
总的来说，存储芯片价格触底反弹，吹响了半导体复苏的号角。
存储芯片是半导体周期的重要风向标之一，其回暖带来了多重信号，或许预示着半导体行业将进入新的发展周期。
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