掺杂原理介绍

杂质的掺杂是芯片制造中十分重要的一步,几乎所有的集成电路,LED,功率器件等都需要用到掺杂。那么为什么要掺杂?有哪些掺杂手段?掺杂的作用是什么?

为什么要掺杂?
本征硅的导电性能很差,需要在本征硅中引入少量杂质,增加可移动的电子或空穴的数量,以改善其电性质,使硅能够满足半导体制作的标准。
什么是本征硅?
本征硅指的是纯净的硅,没有被任何杂质掺杂的硅,其自由电子数和空穴数是相等的。本征硅是一种半导体材料,室温下的导电性很差。

什么是N形硅?
N型硅是通过向纯硅中掺杂五价元素(如P、As等)来制得的。磷、砷等五价元素的原子替代了硅原子的位置,由于硅是4价,会多出来一个电子。而多出来的电子就可以自由移动,带负电。N表示负。
N+ :重掺杂的N型半导体。N-:轻掺杂的N型半导体.

什么是P形硅?
P型硅是通过向纯硅中掺杂三价元素(如B、Ga等)来制得的。硼、镓等三价元素的原子替代了硅原子的位置,但与硅原子相比,它缺少一个电子。缺少电子的位置就出现了一个空穴。空穴本身带有正电荷,且可以接受电子,所以称为P型硅。P表示正。
P+,表示高度掺杂的P型半导体,浓度很高。P-,表示低掺杂浓度的P型半导体。
常见的五价元素
五价元素即元素周期表中的ⅤA族元素,代表性的为P,As。这两个元素,最外层有5个电子,其中的4个能与硅原子形成共价键,剩下一个作为自由电子。
磷(P)是非金属元素,具有多种同素异形体,其中最常见的是白磷、红磷和黑磷。砷(As)是类金属元素,具有金属光泽,化学性质与磷相似,但砷的化合物通常更稳定,其中砒霜就是一种砷的氧化物,As2O3。

常见的三价元素
三价元素即元素周期表中的ⅢA族元素,代表性的为硼(B),镓(Ga)。这两个元素,最外层有3个电子。
硼 (B)是一种硬而脆的非金属元素,呈黑色或棕色。在自然界中,它大多以其氧化物或硼酸盐的形式存在,常见物质有硼酸、硼砂等。

镓 (Ga)一种柔软的金属,低熔点。它的熔点约为29.76°C,GaAs被广泛用作半导体材料。此外,镓也用于生产太阳能电池、LED等。
常见的掺杂方式
目前主要有两种方式,即扩散与离子注入。
扩散
首先,半导体晶片经过清洁,以确保其表面没有污染。随后,硅片在高温下(扩散炉)加热。掺杂剂原子能够进入到半导体材料中,完成扩散后,进行退火等后处理,以稳定化掺杂剂的分布。
离子注入

离子注入使用高电压将离子态的掺杂物加速到非常高的速度,加速后的离子被精确地射向硅片的表面。由于离子具有高动能,它们会穿透硅片的表面并进入其内部。详见下几次的文章。

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