三星西安工厂制程升级

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10月23日消息，据外媒报导，美国政府对三星的无限期豁免，对于三星来说这无疑是一个好消息，而且三星也在取得豁免后，开始确实采取相应措施。消息指出，三星高层已决定将其为在西安 NAND Flash 闪存工厂升级到236层堆栈的技术，并准备开始大规模扩产动作。

报导引用消息人士的说法指出，三星已开始预定和购买最新的半导体设备以用于接下来的制程转换动作。预计，新设备将在 2023 年底交货，并在 2024 年于西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND Flash 的技术，这也被业界视为在当前全球 NAND Flash 闪存需求疲软，导致产能下降的因应计划。

根据公开数据显示，三星西安工厂，是该公司唯一的海外内存半导体生产基地，于 2014 年开始营运，并在 2020 年增建第二座工厂后，主要以生产 128 层堆栈 NAND Flash 闪存为主，月产能达 20 万片 12 吋晶圆，占三星 NAND Flash 产总量的 40% 以上。在此基础上，三星计划 2024 年在西安工厂内安装，并逐步转换制成设备，用意生产 236 层堆栈 NAND Flash 闪存。

数据同时显示，三星西安工厂的第一期工程投资 108.7 亿美元，而在 2017 年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了 150 亿美元。

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