16日韩媒消息：据业内人士透露，三星电子最近聘请安森美半导体前董事洪锡俊( Hong Seok-jun)担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其器兴组建了SiC功率半导体业务特别工作组。不仅将之前正式宣布的氮化镓 (GaN) 商业化，而且还将碳化硅 (SiC) 功率半导体商业化。这是培育下一代功率半导体作为未来增长引擎的一项措施。
三星电子器兴园区概况和三星电子 DS 部门 TF 副总裁 Hong Seok-jun（左下）据了解， Hong Seok-jun是功率半导体专家，在加入三星电子之前，曾在英飞凌、仙童、安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作约25年。他获得了首尔国立大学电力电子硕士学位和加州大学洛杉矶分校安德森学院 MBA 学位。此前，他在onSemi负责智能半导体 (PIM)、智能功率模块 (IPM)、复杂半导体器件和 SiC 等工程应用技术。
三星领导层表示，“Hong Seok-jun是半导体专家，他和他的团队可以领导整个业务，从半导体规划和设计到开发、测试和应用有全套的经验。”
除了SiC商业化之外，三星电子从去年开始，还计划全面筹备GaN功率半导体业务。据公司人士称：“为了购买生产GaN功率半导体所必需的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，我们正在加快GaN量产准备工作，例如向德国Axitron公司下了两位数的设备订单半导体设备公司”
MOCVD是基于金属有机原料生长薄膜的设备。据称，三星已在全面开展 第三代半导体业务之前订购了足够大的设备来用于加工GaN和SiC晶圆，投资规模预计至少达到7000亿-8000亿韩元（约为5.4亿-6.2亿美元）。未来随着业务的认真开展，设备订单规模预计还会增加。
如果三星电子继8英寸GaN功率半导体业务之后正式推出SiC功率半导体业务，预计将巩固其在下一代功率半导体市场的地位。三星的战略是通过直接采用 8 英寸晶圆来实现差异化，这与使用 4 英寸或 6 英寸晶圆的竞争对手不同。该计划是通过领先一步的技术瞄准市场，占据重要地位。SiC和GaN都被归类为耐高压和耐高温的下一代半导体。根据物理特性，SiC被评估为专门用于电动汽车、储能系统（ESS ）和太阳能的功率半导体材料，而GaN被评估为专门用于充电器、通信设备和服务器的功率半导体材料。另一位业内人士预测，“由于SiC晶圆比GaN更难实现，缩小与领先企业的技术差距，差异化将是商业化的关键。”三星的第三代半导体的代工业务预计2025年才能开始进行，目前仍是正处于研究和样品生产阶段，只需要少量设备。然而，他们必须根据未来的量产计划进行大量的设备投资。三星加速对第三代半导体的布局一方面与硅基产品业务不及预计有关，日前，三星电子公布了三季度业绩的初步情况。公司估计，由于全球经济放缓导致的芯片需求复苏停滞，其今年第三季度营业利润下降了78%。
另一方面，在市场环境的影响下，韩国的其他晶圆制造企业纷纷公布了第三代半导体的布局。今年5月，SK powertech宣布公司位于釜山的新工厂结束试运行，投入批量生产。SiC产能扩大将近3倍，同时预计2026年SK powertech销售额增长将超5000亿韩元。
受这几个方面的影响，再叠加第三代半导体的市场需求日益增长，三星在此时加大SiC和GaN的投资也是不得不做的选择。
写在最后
近两年来，日韩和欧美的多个芯片龙头碳化硅产能规划增多，其中更是有多个头部企业宣布将在“碳化硅晶圆8英寸时代”加入竞争，随着海外大厂的产能建设完成和逐步释放，全球碳化硅市场的竞争将继续加剧，国产碳化硅产业链企业应进一步加强合作，早日形成产业壁垒，拿到碳化硅产业链发展下半场的入场券！
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