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芯报告
Silicon Carbide
本期“芯报告”话题:
SiC功率器件的工艺技术
◎ 发挥 SiC 功率器件的优势
◎ 碳化硅功率器件的工艺技术
栅极氧化物优化
沟槽式 MOSFET 的工艺集成
可靠性和可制造性
◎ 碳化硅功率器件以外的应用
用于高温电子设备的 SiC CMOS 技术
用于集成电路的 SiC 量子技术
◎ 结论与展望
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