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10 月 9 日消息，据韩媒 ChosunBiz 报道，业内人士本月 4 日分析称，三星电子、台积电的 3nm 工艺良品率目前都在 50% 左右。
报道称，此前有消息表示三星电子的 3nm 良品率超过 60%，且已经向中国客户交付了一款芯片，但由于该工艺省略了逻辑芯片中的 SRAM，因此很难将其视为“完整的 3nm 芯片”。
业界认为，尽管三星已经率先量产重点发展的 3nm 全栅极技术（GAA），但它的产量还不足以影响大客户。在这种技术中，由于栅极环绕在构成半导体的晶体管中电流通道的四边，与此前环绕三边的工艺相比，难度自然会增加。一位熟悉三星的人士透露，“要赢得高通等大客户明年的 3nm 移动芯片订单，良率至少需要提高到 70%。”
至于台积电，虽然作为目前唯一一家拥有 3nm 量产记录的公司，但其产量同样低于最初预期。有分析师表示，台积电 3nm 工艺中使用了与上一代工艺相同的 FinFET 结构，可能“未能控制”过热问题。
当前两家公司仍在努力实现 60% 以上良品率的目标。台积电计划在明年量产 N3E、N3P、N3X、N3AE 等，重点就是提高良品率降低成本。
此外，一位半导体业内人士透露称，三星、台积电和英特尔都在准备 2nm 工艺，但与 3nm 相比，性能和功耗效率的提升“并不明显”，因此预计 3nm 工艺芯片的需求持续时间将超过预期。
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