在这个数字化时代，电子行业一直在不断发展和创新，而氮化镓器件也在行业中将露头角，发挥着越来越重要的作用。
氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体，与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，它可以实现更高的功率密度和效率。GaN 能够比纯硅解决方案更有效地进行电量处理，将功率转换器的功率损耗降低 80%，并更大限度地减少对添加冷却器件的需求。通过将更多的电量存储在更小的空间内，GaN 可以设计更小更轻的系统。
Power Integrations将于9月22号14:00进行直播，本次直播可以了解到Power Integrations高层是如何看待氮化镓的发展的。
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本次直播中Power Integrations的各高层会深入讨论PI氮化镓器件的技术细节、市场趋势和未来机会。不要错过这个机会，了解电子行业的未来，一起探索氮化镓器件的潜力！
