9月12日，据《韩国经济日报》报导，三星电子近期与客户（谷歌等手机制造商）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
与此同时，三星还计划以更高价格，向自家生产Galaxy系列手机的移动业务部门供应存储芯片，以此反应移动芯片价格上涨的趋势。
三星 DRAM 开发的部门负责人 Hwang Sang-Jun 也在近日表示，从第三季开始内存市场的供需正在达到平衡，第四季开始将出现大量的需求，明年基本会是「需求主导」的市场。
此外，三星、苹果等主要智能手机公司纷纷推出新产品进行创新竞争，也被认为内存行业的一大利多因素，因为这需要更多的内存来提高智能手机的性能。业界认为，智能型手机使用的 DRAM 容量每年增长超过 5%。
上游原厂的涨价，也带动了中间通路及下游厂商的一系列动作。
台媒经济日报今日也报道，随着上游NAND Flash原厂如三星、铠侠、SK海力士等开始拉高晶圆合约价，由于中间通路及下游系统模块厂手中库存低于正常季节水平，引发终端业者抢货，将进一步带动第4季内存模块价格全面走扬。
先前通路商及下游系统模块厂因市况不佳，加上预期价格可能持续下跌情况下，尽量降低持有内存库存。而后，随着内存原厂价格喊涨，原先就没有相关库存的终端业者，为抢拿中间通路及下游系统模块厂所剩不多的相对低价库存，开始使出浑身解数拉货。
由于终端业者拉货力道强劲，包括消费性SSD、存储卡及随身碟，手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。供应链传出，目前平均涨幅约在个位数左右，由于部分内存产品库存水位相对较低，因此第4季的涨幅有上看双位数水平。
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