Data flash在CS+的应用
Data flash，直译数据闪存，闪存有可执行程序的“代码闪存”和数据保存区的“数据闪存”，这里讲的数据闪存，其实就是单片机留给用户存储自己数据的地方，类似于单片机内部的EEPROM，在CS+for CA，CX中也是可以直接配置生成库函数的，但也可以使用FDL库。
怎么去使用
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在瑞萨官网找到FDL库T04的包文件下载，解压并运行安装程序，从下拉列表选择“Asia/Oceania - English”，点击OK按照安装程序的说明进行安装；
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安装过程中，选择您使用编译器版本的库，我这边用的是CA78K0R，所以选择第一个；
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通过FDL生成应用程序，生成的库适用于CA78K0R编译器，打开FDL文件→CA78K0R→lib，需要将lib的文件加入到工程应用；
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需要注意的是RL78系列在操作FDL库中有一段需要避开Self_RAM区域，所以需要在工程文件下添加dr文件来修改Self_RAM的段，改Self_RAM的开始地址，以及所占的字节数；
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这里用到R5F10268芯片和FDL T04库，可以看到没有对应的Self_RAM，所以不需要修改dr文件的RAM；
创建工程以及库的导入
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创建新的工程，这边选择了R5F10268芯片，按照下图标记好选择的顺序，去选择以下的选项，然后通过Generate Code生成所需的配置文件，同时也会自动生成data flash库文件；
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在r_cg_pfdl.c已经生成有读写的函数，不需要自己去添加；
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将FDL库中的lib文件夹复制到工程路径中；
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在工程树中新建lib文件夹，并将lib里面的所有文件加进来，pfdl.inc不加也可以，其他三个必须加；
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在r_cg_pfdl.c添加头文件，这时候编译应该是没问题了，如果没有添加，程序会找不到库文件报错；
例程验证
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这里直接封装了两个函数，分别是读写的函数，读写操作前需要关总中断，操作完成后再把总中断打开；
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最后我们通过代码读写10个字节去验证是否成功写入data flash区域；
对RL78/G12来说，Data flash memory的起始地址为0xF1000H，所以以上write函数就是从0xF1000H开始写入10个数据。
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打开memory可以看到，在地址0xf1000开始写的buffer跟定义的write_buffer一致，写入成功；
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