第三代半导体技术与材料论坛将于2023年10月17-18日在厦门召开。会议将安排参观考察厦门三安光电与泉州工厂
据“苏州发布”消息，9月2日，苏州市委市政府召开推进大会。会上，路芯半导体掩膜版研发及产业化基地签约落地苏州工业园区。
据了解，该项目预计总投资人民币20亿元，项目公司将依托路维光电在掩膜版领域的技术基础，深耕半导体掩膜版领域，建设130nm-28nm制程节点的半导体掩膜版产线。
公开资料显示，江苏路芯半导体技术有限公司是一家半导体掩膜版研发生产商，主要从事半导体掩膜版等相关半导体器件的研发生产业务。建设有130nm-28nm制程节点的半导体掩膜版产线。
来源：全球半导体观察
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年10月17-18日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。安排考察厦门三安光电与泉州工厂。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（厦门三安光电与泉州工厂）
最新会议日程如下：
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