第三代半导体技术与材料论坛将于2023年10月17-18日在厦门召开。会议将安排参观考察厦门三安光电与泉州工厂
9月7日，甬矽电子（宁波）股份有限公司二期项目落成。
余姚市委副书记、市长沃勇特表示，甬矽电子二期项目的正式落成，标志着甬矽电子在规模化、高端化、多元化发展的道路上又迈出了坚实一步，具有里程碑式的意义，也将进一步推动余姚以及宁波集成电路产业的规模壮大、结构优化、能级提升，为中国芯片突破技术瓶颈、实现国产化替代注入强劲动能。
甬矽电子（宁波）股份有限公司董事长兼CEO王顺波表示，甬矽电子二期项目的落成是甬矽电子发展的关键节点，标志着甬矽电子进入一个新的发展阶段。甬矽电子一期，仅用5年时间，营业收入从2018年0.38亿元跃升至2022年21.8亿元，年均增速达235%，在中高端封测领域，国内市场份额进入前六，全球位居前二十。甬矽电子二期项目总占地500亩，一阶段完成建设300亩，建筑面积超38万平方米，总投资111亿元，满产将达到年产130亿颗芯片。甬矽电子二期将力争成为中国先进封装测试基地的引领者，中国晶圆级先进封装工厂的标杆者，中国自动化先进封装测试工厂的领航者。
来源：集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年10月17-18日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。考察厦门三安光电与泉州工厂。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（厦门三安光电与泉州工厂）
最新会议日程如下：
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中国大陆半导体大硅片项目表（月度更新）
中国大陆再生晶圆项目表（月度更新）
中国大陆8英寸晶圆厂项目表（月度更新）
中国大陆12英寸晶圆厂项目表（月度更新）
中国大陆半导体封测项目表（月度更新）
中国大陆电子特气项目表（月度更新）
中国大陆半导体湿电子化学品项目表（月度更新）
中国大陆晶圆厂当月设备中标数据表（月度更新）
中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）
中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）
中国大陆8英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
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