三星：美国厂进度领先台积电

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9月7日，据韩媒报道，三星电子联席CEO Kyung Kye-hyun表示，旗下的得州泰勒（Taylor）厂预计2024年底开始投产4纳米制程芯片，进度超台积电，有信心与台积电竞争。

他强调，三星在美国有“主场优势”（home game）、台积电则是在“客场”（away game）比赛。

Kyung Kye-hyun称，三星有望在晶圆代工市场获得成功，市值也将随之达到1000万亿韩元（7520亿美元)。他说，三星创造出“环绕栅极”（gate-all-around，GAA）半导体制造制程，晶圆代工事业早已领先竞争对手，但在人力资源方面遇到挑战。

台积电Fab 21美国厂第一阶段于2021年4月动工，原本预定2024年初投产，但因熟练安装设备的专业人员不足、当地工会抗议、海外安全规定差异等众多挑战，装机时程出现延误，迫使台积电改变计划，计划2025年量产。

但业界分析，台积电美国厂效率仅有在中国台湾建厂的三分之一，如果照当前速度进行，机台到位至实际量产将浪费不少时间。因此，台积更改以往的策略，先建置mini line，初估2024年Q1小量试产，月产能约4000~5000片，同时可避免厂房投产延迟可能引发的违约问题。

根据集邦咨询9月5日发布的报告，2023年第二季度，三星在晶圆代工市场的占有率从前季的9.9%攀升至11.7%，台积电却从60.2%下降至56.4%，主要是受到5纳米/4纳米制程营收衰退影响。

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