联发科3nm工艺旗舰芯片已成功流片:功耗降32%

芯存社 2023-09-07 16:13
2023年9月7日 – MediaTek 与台积公司今日共同宣布,MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利,日前已成功流片,预计将在明年量产。MediaTek 与台积公司长期保持着紧密且深度的战略合作关系,双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的独特优势,共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片,赋能全球终端设备。

MediaTek 总经理陈冠州表示:“MediaTek 在拓展全球旗舰市场的策略上,致力于采用全球最先进的技术为用户打造尖端科技产品,提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力,让 MediaTek 在旗舰芯片上的优异设计得以充分展现,以高性能、高能效且品质稳定的最佳芯片方案提供给全球客户,为旗舰市场带来前所未有的用户体验。”
台积公司欧亚业务及技术研究资深副总经理侯永清博士表示:“多年来,台积公司与 MediaTek 紧密合作,为市场带来了许多重大的创新,我们也很荣幸能继续在 3 纳米及更先进的技术上携手合作。台积公司与 MediaTek 在天玑旗舰芯片上的合作,将半导体产业最顶尖的制程科技带入智能手机等移动终端,让全球用户享受无与伦比的使用体验。”
台积公司的 3 纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5 纳米制程,台积公司 3 纳米制程技术的逻辑密度增加约 60 %,在相同功耗下速度提升 18 %,或者在相同速度下功耗降低 32%。
MediaTek 一直基于业界领先的制程工艺打造 Dimensity 天玑旗舰芯片,满足用户在移动计算、高速连接、人工智能、多媒体娱乐等领域不断升级的体验需求,赋能智能手机、平板电脑、智能汽车等各类设备。MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市,为新世代终端设备注入强大实力,引领用户体验迈向新篇章。
在今年7月的季度财务会议上,台积电CEO魏哲家透露,去年底开始量产的N3 3nm工艺,已完全通过验证,性能、良品率都达到了预期目标。
台积电3nm工艺第一代为N3B,技术上很先进很复杂,应用多达25个EUV光刻层,还有双重曝光,从而达到更高的晶体管密度,这也致使价格更贵。
第二代则是N3E,EUV光刻层减少到19个,去掉双重曝光,会便宜不少,更适合主流产品。
目前业界各大芯片厂商都在攻关 3nm 制程,包括苹果 iPhone 有望率先拿下台积电 3nm 产能,我们可以期待在今年最新的 A17 芯片中见到。此外,高通的 3nm 芯片目前还没有准确消息,预计会和联发科再次展开竞争。



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