Vishay 650 V E 系列 MOSFET
第四代器件
提高额定功率和功率密度
降低导通和开关损耗
提升能效
Vishay 推出新型第四代 650 V E 系列功率 MOSFET，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n 沟道 SiHP054N65E 导通电阻比前代器件降低 48.2 %，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降 59 %，该参数是 650 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。
Vishay 丰富的 MOSFET 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着 SiHP054N65E 的推出，以及其他第四代 600 V E 系列器件的发布，Vishay 可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求，包括功率因数校正（PFC）和后面的 DC/DC 转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储；UPS；高强度放电（HID）灯和荧光镇流器；太阳能逆变器；焊接设备；感应加热；电机驱动；以及电池充电器。
SiHP054N65E 采用 Vishay 先进的高能效 E 系列超级结技术，10 V 下典型导通电阻仅为 0.051 Ω，从而提高额定功率支持 2 kW 以上的各种应用，器件满足符合开放计算项目 Open Rack V3（ORV3）标准的需求。此外，这款 MOSFET 超低栅极电荷下降到 72 nC。器件的 FOM 为 3.67 Ω*nC，比同类接近的竞品 MOSFET 低 1.1 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而达到节能效果，提高能效。器件满足服务器电源钛效应的特殊要求，或通信电源达到 96 % 的峰值效率。
日前发布的 MOSFET 有效输出电容 Co(er) 和 Co(tr) 典型值分别仅为 115 pF 和 772 pF，可改善硬开关拓扑结构开关性能，如 PFC、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与 Co(tr) 乘积 FOM 低至 5.87 Ω*pF 达到业内先进水平。SiHP054N65E 采用 TO-220AB 封装，提高了 dv/dt 耐用性，符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式下电压瞬变，并保证极限值 100 % 通过 UIS 测试。
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