第三代半导体技术与材料论坛将于2023年10月17-18日在厦门召开。会议将安排参观考察厦门三安光电与泉州工厂
根据日经中文网报道，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业，与从事ATM及通信设备的OKI公司联合开发出了低成本制造氮化镓（GaN）的新技术。这项技术可以使得氮化镓材料的制造成本降低90%以上，如果能够量产，将大幅降低快充充电器、电动汽车马达电控等装置的成本，有利于氮化镓技术普及。
信越与OKI开发的新技术，可以在特有的基板上喷射镓系气体，使晶体生长。信越化学工业的增厚晶体技术与OKI的接合技术相结合，从基板上只揭下晶体。晶体放在其他基板上作为功率半导体的晶圆使用。
这种方法与传统GaN功率半导体的制造方法相比，成本和性能更具优势。目前所采用的在GaN基板上使GaN晶体生长的制法不仅制造耗费时间，成品率还很差，成本高。新制法可以高效制造晶体，可以降低9成成本。
日本公司开发的新技术，不需要基板与晶体之间的绝缘层。加上晶体的厚膜化，可以通20倍的大电流。该技术可以用于制造6英寸氮化镓晶圆，目标是2025年可以增大至8英寸。信越化学工业等，后续还考虑向半导体厂商销售技术等业务模式。
外媒表示，如果大电流、大功率氮化镓功率半导体能够低成本量产，在电动汽车上可取代SiC碳化硅功率半导体，使得快充时间缩短至此前的四分之一。
尽管中国自8月起实施镓、锗及相关材料的出口管制，但是信越化学工业等采用的制造方法，使用中国出口审批对象之外的派生气体，因此不受限制的影响。
据富士经济预测，世界新一代功率半导体市场到2035年将达到5万亿日元，是2022年的31倍。其中，电动汽车用功率半导体将拉动增长。如果GaN能够低成本量产，将大大改变目前行业主要企业的版图。
来源：集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年10月17-18日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。考察厦门三安光电与泉州工厂。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（厦门三安光电与泉州工厂）
最新会议日程如下：
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