绍兴中芯集成近日发布上市后首份半年报，同时在碳化硅领域新增子公司及对外投资
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。会议将安排参观考察厦门三安光电与泉州工厂
8月31日，中芯集成发布上市后首份半年度报告，同时宣布两份在碳化硅领域的投资布局。
出资2.55亿成立SiC子公司 宁德时代、上汽、阳光电源、小鹏等共同参股
根据中芯集成发布的公告，公司拟投资设立控股子公司芯联动力，主要从事SiC等化合物半导体的工艺研发、生产及销售业务。预计总注册资本5亿，其中中芯集成出资2.55亿，股权占比51%。其他拟参股方包括多家股权投资机构，包括宁德时代（晨道基金）、上汽集团（尚颀资本）、阳光电源、小鹏汽车（星航资本）、立讯精密、瑶芯微等多家新能源行业的企业（汽车、锂电池、逆变器等）及产业投资机构。
中芯集成表示，随着新能源产业的发展，碳化硅（SiC）行业已成长为千亿市值的重要板块。目前国内碳化硅（SiC）市场竞争激烈，应用市场主要集中在新能源汽车、风光储、智能电网等领域，客户集中度较高。本次与碳化硅（SiC）产业链上下游重要参与者、关联方共同设立控股子公司，建立起更加紧密的纽带，主要是为了配合公司发展战略及业务需要，推动公司产业垂直整合，实现公司的全产业链布局，从而助力公司碳化硅（SiC）业务快速发展，取得领先优势。
5000万增资宁波盛吉盛，旗下含20亿在建SiC项目
中芯集成宣布，拟5000万参与盛吉盛的增资，资金来源为自有资金。
盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司成立于2018年3月，是中芯国际牵头，联合韩国Triplecores、芯空间、芯鑫租赁等股东共同发起成立的半导体设备和关键零部件研发、生产和服务企业。公司致力于推进关键半导体设备的国产化，主要的核心业务包括半导体设备研发生产、半导体智能化与服务、半导体设备升级优化三大板块。
截至目前，盛吉盛已完成3轮融资，均获得过知名基金中芯聚源的投资，该机构还曾投资激光切割设备企业晟光硅研、碳化硅长晶设备企业晶升装备以及氮化镓器件企业晶通半导体等企业。
据长江日报报道，今年一季度，吉盛微半导体碳化硅项目签约落户武汉。据悉，吉盛微半导体碳化硅项目投资20亿元，主要从事半导体碳化硅材料研发及生产制造，建设年产2万件高端碳化硅材料与部件生产线，产品主要用于芯片制造行业半导体设备零部件。目前已完成公司注册、项目备案等手续，正在进行厂房装修招标，预计在7月投产。
吉盛微（武汉）新材料科技有限公司成立于2023年3月，注册资本为8000万元，第一大股东为盛吉盛新产业孵化（深圳）合伙企业（有限合伙）。
特色工艺代工为主，SiC MOS产能释放
中芯集成成立于2018年，主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案，其工艺平台涵盖超高压、车载、先进工业控制和消费类功率器件及模组，以及车载、工业、消费类传感器，应用领域覆盖智能电网、新能源汽车、风力发电、光伏储能、消费电子、5G通信、物联网、家用电器等行业。
经过数年发展，中芯集成已在高端新兴应用领域形成了优质而丰富的客户资源，经营规模持续扩大，近三年来，中芯集成一直保持年复合增长率近150%的高速发展。在功率领域，中芯集成的IGBT芯片技术和量产能力已和国际领先水平同步，高电流密度和大功率车规级芯片技术迈入全球先列。MEMS领域，中芯集成是国内规模最大、全球第五、技术最先进的MEMS晶圆代工厂。
碳化硅方面，中芯集成已成为国产SiC代工的龙头公司，目前公司车规级SiC MOS已进入工艺和产品认证阶段，同时，公司的SiC功率模组产品布局完整，广泛应用于新能源汽车、光伏风电、智能电网及其他变频领域。已获得多个车企、Tier1等下游用户的模块产品定点。经过两年的研发和可靠性验证，公司于2023年上半年实现了车载主驱逆变大功率模组中使用的车规级碳化硅（SiC） MOSFET的规模化量产，接下来还将进一步扩大量产规模。
产能方面，公司应用于车载、工控领域核心芯片的IGBT产能达到8万片/月，其产能利用率超过95%；SiC新建产能2000片/月，产能利用率超过90%。此外公司还拥有MOSFET产能 6.5 万片/月、MEMS产能1.1万片/月、HVIC产能5000片/月。
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。安排考察厦门三安光电与泉州工厂。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（厦门三安光电与泉州工厂）
最新会议日程如下：
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