第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
8月25日，中微公司发布公告称，公司根据战略发展规划，综合考虑公司未来核心技术研发的参与情况与业务发展贡献等实际情况，经管理层研究，现对核心技术人员进行调整。新增丛海、陶珩、姜勇、陈煌琳、刘志强、何伟业为公司核心技术人员，原核心技术人员杜志游、麦仕义、李天笑因工作职责调整，不再认定为公司核心技术人员，但仍继续在公司任职。
中微公司指出，杜志游先生在任职期内，参与研究并作为第一发明人获得知识产权共 40 项；麦仕义先生在任职期内，参与研究并作为第一发明人获得知识产权共 2 项；李天笑先生在任职期内，参与研究并作为第一发明人获得知识产权共 2 项。公司享有前述知识产权的所有权，不存在涉及职务发明专利权属纠纷或潜在纠纷，也不存在影响公司知识产权完整性的情况。
核心技术人员具体情况
杜志游博士，1959 年生，美国国籍，上海交通大学学士，美国麻省理工学院硕士、博士。1990 年至 1999 年，历任 PraxairInc. 高级工程师、经理、董事总经理等；1999 年至 2001 年，担任应用材料全球供应管理经理；2001 年至 2004 年，担任梅特勒-托利多上海子公司总经理；2004 年至今，历任中微公司副总裁、资深副总裁、首席运营官、副总经理。截至本公告披露日，杜志游先生直接持股1,398,326 股，所持股份合计占公司总股本 0.23%。
麦仕义博士，1947 年生，美国国籍，台湾大学学士、美国马里兰大学博士。1985 年至 1989 年，担任英特尔资深工程师；1989 年至 2003 年，担任应用材料资深总监；2004 年 1 月至 2004 年 6 月，担任英特尔项目经理；2004 年 8 月至2020 年 3 月，任中微公司副总裁。截至本公告披露日，麦仕义先生直接持股1,851,326 股，所持股份合计占公司总股本 0.30%。
李天笑先生，1958 年生，美国国籍，复旦大学学士、美国韦恩大学硕士、美国纽约大学硕士。1990 年至 1995 年，担任美国索尼资深电气工程师；1995 年至2004 年，担任应用材料亚太项目经理；2004 年 9 月至今，任中微公司副总裁。截至本公告披露日，李天笑先生直接持股 1,663,782 股，所持股份合计占公司总股本 0.27%。
中微公司称，公司与杜志游、麦仕义、李天笑签署分别签署了《保密协议》及《雇员保密信息和发明协议》，对各方的权利义务进行了约定。截至本公告披露日，公司未发现上述人员有违反上述相关协议的情形。
中微公司主要从事高端半导体设备的研发、生产和销售，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 生产、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司通过长期技术积累和发展，已建立了结构完整的研发体系，培养了有奋斗精神和协同创新能力的研发团队。本次核心技术人员的调整不存在涉及职务发明的纠纷或潜在纠纷的情形，不会对公司的技术优势和核心竞争力产生不利影响，亦不影响产品研发和市场拓展进度。
其进一步表示，公司一直十分重视研发投入，已建立较为完善的研发管理体系，研发团队结构完整。核心技术人员职务调整不会影响公司拥有的核心技术及其专利权属完整性，亦不会对公司的核心竞争力、研发技术及持续经营能力产生实质性影响。公司本次新增认定核心技术人员，有助于公司各项研发项目有序高效推进，并支持公司未来核心产品的技术升级，推动公司多产品布局的战略实现。
来源：集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战（题目暂定） ——厦门三安光电有限公司（已定） |
中国第三代半导体产业布局情况（题目暂定） ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（已定） |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望（题目暂定） ——山西烁科晶体有限公司（已定） |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战（题目暂定） ——安徽芯塔电子科技有限公司（已定） |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案（题目暂定） ——深圳基本半导体有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶体的生长技术，PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学（待定） |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司（待定） |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（待定） |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司（待定） |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。
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