哈喽啊，好久没有给大家分享资料干货了，今天选用的文章来自于，Francesco La Via先生，他曾经任职于意大利国家研究委员会 。
本书的大致结构如下。在介绍了大面积衬底上 4H-SiC 外延生长的演变和历史之后，详细回顾和解释了外延工艺中氯化前驱体的引入，并展示了这种新工艺对器件特性的影响。外延工艺的改进与生长模拟的改进密切相关，这有助于研究人员了解不同参数对这一复杂工艺的影响。第三章致力于 CVD 系统、不同前驱体气相反应以及表面反应模型的模拟。第四章展示了通过模拟研究影响 4H-SiC 和 3C-SiC 缺陷形成及其演化的不同生长参数所获得的一些重要结果。其中一些缺陷和成本的降低将研究重点转向减小离轴角，并最终在同轴衬底上生长。然后有一章专门讨论生长的这一重要方面，并展示了外延工艺的所有困难和参数，为了在这些基板上获得良好的材料，应该改变外延工艺的参数。同质外延（4H 上的 4H）和异质外延（六角形基板上的 3C）均得到解决。最后，关于 4H-SiC 同质外延的章节以解释不同工艺参数对形成或减少外延层中观察到的主要缺陷的影响的章节结束。
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，碳化硅芯观察转载仅为了传达观点，仅代表碳化硅芯观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系碳化硅芯观察。
