第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
当地时间21日，美国商务部下属工业和安全局(BIS)发布声明，称将33个实体从“未经验证清单”（UnverifiedList，简称UVL）剔除，其中27个实体位于中国，其他实体位于印度尼西亚、巴基斯坦、新加坡、土耳其和阿拉伯联合酋长国。
图：BIS声明截图
声明称，这一决定于21日对外公开展示，并将于次日（22日）在《联邦公报》上公布后生效。
美国商务部负责出口执法事务的助理部长马修·阿克塞尔罗德（MatthewS.Axelrod）表示，“我们将33家实体排除在（清单）外，表明了当企业或政府与工业和安全局合作，并成功完成最终用途核查后，它们会得到获利。”
根据BIS的公告和相关法规说明，外国实体被列入未经验证清单的原因并非直接违反了《出口管理条例》（EAR），而是在BIS对相关美国受控物项的外国交易方进行许可前审查或者发货后跟进核查的过程中，美国管制物项目的地国家或地区的最终用户或收货人不予配合、配合不充分、无法取得联系，从而导致BIS无法对这些实体进行最终用途核查，但该实体存在的问题或BIS发现的证据均不足以将该实体列入更严厉的“实体清单（EntityList）”，因此将此类外国实体列入UVL清单。
根据安永（中国）企业咨询的分析，列入清单对中国企业的影响主要体现在供应链上。安永中国认为，不同于BIS的实体清单，UVL更大程度上是作为一种过渡性的“待观察清单”和“怀疑清单”，即美方怀疑相关实体的出口管制商品最终用途可能损害美国国家利益，但美方并不具有实质性的证据，因此将其纳入UVL。其本质目的是为了迫使相关实体配合BIS检查，并没有完全剥夺其在美国境内的贸易机会。不过一旦美方拥有实质性证据，相关实体也可能被列入实体清单、被拒绝人清单等“制裁清单”中。
被列入UVL的企业供应链稳定性会受到冲击。与此同时美国的出口商会更谨慎地对待与这些企业合作关系，甚至会选择拒绝与被列入UVL的中国企业合作以降低潜在的风险。企业在被列入UVL后应积极采取行动，保障供应链正常运行，以减少经济损失并维护企业声誉。
2022年2月7日，美商务部宣布将33家中国实体列入出口管制“未经验证清单”。对此，中国商务部表示，近年来，美方将出口管制作为政治打压和经济霸凌的工具，不断采取单边措施对他国企业、机构和个人进行打压遏制，给中美企业间正常经贸合作制造困难和障碍，对国际经贸秩序和自由贸易规则造成严重破坏，对全球产业链供应链造成严重威胁，这不利于中国，不利于美国，也不利于整个世界。美方应立即纠正错误做法，回到合作共赢的正确轨道上来，与国际社会一道，为全球产业链供应链稳定和世界经济复苏多做贡献。
本次被移出清单企业包括：
来源：今日半导体
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战（题目暂定） ——厦门三安光电有限公司（已定） |
中国第三代半导体产业布局情况（题目暂定） ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（已定） |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望（题目暂定） ——山西烁科晶体有限公司（已定） |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战（题目暂定） ——安徽芯塔电子科技有限公司（已定） |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案（题目暂定） ——深圳基本半导体有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶体的生长技术，PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学（待定） |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司（待定） |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（待定） |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司（待定） |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。
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中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）
中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）
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中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
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