第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
近日，内蒙古鑫华半导体科技有限公司一万吨半导体级多晶硅项目传来新进展。
新赛罕V消息显示，该项目目前已进入设备安装阶段，工程总体进度已完成85%，预计今年9月底竣工，10月调试并运行，本年度可生产多晶硅1000吨。
鑫华一万吨半导体级多晶硅项目总投资28.3亿元，于2022年9月开工建设，占地约324亩，总设备1100台，可年产高纯电子级多晶硅10000吨、二氯二氢硅500吨、三氯氢硅3000吨、四氯化硅3000吨。
据悉，该项目计划将于2024年底全部达产。
天眼查显示，内蒙古鑫华半导体科技有限公司的控股股东为江苏鑫华半导体科技股份有限公司。江苏鑫华半导体科技股份有限公司于2015年在江苏徐州成立，是国内率先系统掌握高纯电子级多晶硅制备技术的企业。今年7月，该公司成功入选国家专精特新“小巨人”企业。
来源：集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战（题目暂定） ——厦门三安光电有限公司（已定） |
中国第三代半导体产业布局情况（题目暂定） ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（已定） |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望（题目暂定） ——山西烁科晶体有限公司（已定） |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战（题目暂定） ——安徽芯塔电子科技有限公司（已定） |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案（题目暂定） ——深圳基本半导体有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶体的生长技术，PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学（待定） |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司（待定） |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（待定） |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司（待定） |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。
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中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）
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中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
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