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想把运放 ADHV4702 的输出电流增大到100mA，采用VP2540 和 VN2540 两个 MOS 管，按照 datasheet 上的图设计电路。仿真看不到问题。但是，在实验中，ADHV4702 大概输出电流 50mA 超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了，求帮忙。
非常感谢您的建议！我马上安排采购器件做实验。另外，对于上面的电路图，可以改成V-端输入，V+端接地么？
按照您的电路图，功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了？
你的PMOS 方向反了，IRF9640的S极链接R3。另外如果要继续做板的话，建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。你可以把你的具体需求告诉，我可以帮你继续优化一下电路。但我想了解你这个电路应用场景是什么？
你的带宽要求多少？
1kHZ就可以。另外一个问题，刚才我把R6换成39k. 情况是好了很多，但是，在输出50V以上时，仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下，芯片烧毁的原理是啥？是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端？
上述电路在0V输出附近有这么一个奇变，这个应该是MOS管引起的。如果不提高输出电流的话，没有这个现象。麻烦问一下，这个问题该怎么解决？
目标信号是随机的，是不是MOS管在输出小电流的时候引起的？上升段和下降段都有这个问题。
但是，ADHV4702本身具有10ma的输出能力，在小电流的时候，MOS是否工作无所谓吧？发现把39k减小就没事，是ADHV4702的驱动能力不够？
仿真结果看，把39k换成10k，失真几乎不可见。麻烦您看看，10k是否不会导致芯片烧毁，在输出100V的时候。
阶跃响应的输出信号和R6上的瞬态电流情况参考下图：
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