第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文
8月15日,华润微发布公告称,公司子公司润鹏半导体(深圳)有限公司(简称“润鹏半导体”)拟增资扩股并引入国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(简称“大基金二期”)等外部投资者。
据悉,本次交易完成后,润鹏半导体注册资本将由24亿元增加至150亿元,募集部分资金以补充其资本金,本次募集资金总额为126亿元,对应注册资本126亿元。其中,公司本次拟增加投资25.75亿元,所持有润鹏半导体的股权比例将下降为33%。
对于本次增资扩股并引入外部投资者,华润微解释称,截至目前,润鹏半导体投资建设的深圳12吋线项目进度正常,人员逐步到位,资金投入大幅增加,除需公司自有资金补足外亟需引入外部投资者共同参与项目建设。本次交易拟引入主业关联度高、协同效应强的战略投资者,为深圳12吋线项目建设提供资金和产业资源支持,符合公司和润鹏半导体的发展战略需求。
据公告显示,润鹏半导体于2022年6月设立,注册资本为人民币1亿元,并于2023年2月完成首次增资扩股,新增注册资本由华润微科技(华润微另一家子公司)认缴人民币23亿元用于“华润微电子深圳300mm集成电路生产线项目”(以下简称“深圳12吋线项目”)固定资产投资部分,润鹏半导体的注册资本由人民币1亿元增加至人民币24亿元。
公告称,本次交易完成后,润鹏半导体董事会席位将增至9名,公司通过子公司华润微科技提名委派3名董事,公司在润鹏半导体董事会席位将低于半数,进而可能会影响对其的最终控制权。
本轮增资扩股后,润鹏半导体前五大股东分别是华润微科技持股33%,大基金二期持股25%,中国国有企业机构调整基金二期股份有限公司持有10%,深圳市重大产业投资集团有限公司持股9%,深圳市引导基金投资有限公司持股6%。
在今年一月的全省高质量发展大会上,华润微电子有限公司总裁李虹表示,将全力以赴推进深圳12英寸特色工艺集成电路生产线工程建设,该项目预计2024年年底实现通线投产,满产后将形成年产48万片12英寸功率芯片的生产能力。
李虹介绍,公司在深圳建设的12英寸特色工艺集成电路生产线一期总投资额超220亿元人民币,将聚焦电机驱动、模数转换、微控制器件和光电集成等产品,重点支持新能源汽车、光伏储能、物联网、传感器等新兴领域的应用,助力广东实现集成电路发展的区域集聚。他表示,项目已于去年10月底正式开工建设,预计2024年年底实现通线投产,项目满产后将形成年产48万片12英寸功率芯片的生产能力。同时,项目的建成,还将与设计、封装、测试等产业链上下游形成联动集聚效应,满足广东经济高速发展对半导体产品的巨大市场需求,助力做强做优珠江东岸电子信息产业带和珠江西岸先进装备制造产业带。
来源:集微网等
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察(重点企业或园区)
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战(题目暂定) ——厦门三安光电有限公司(已定) |
中国第三代半导体产业布局情况(题目暂定) ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(已定) |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望(题目暂定) ——山西烁科晶体有限公司(已定) |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战(题目暂定) ——安徽芯塔电子科技有限公司(已定) |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技(北京)有限公司(已定) |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案(题目暂定) ——深圳基本半导体有限公司(已定) |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司(待定) |
碳化硅晶体的生长技术,PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所(待定) |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司(待定) |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学(待定) |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司(待定) |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(待定) |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司(待定) |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新,最终版以会场发布为准。
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