第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文
昨天(8月9日),九峰山实验室发文称,他们的6吋SiC中试线于8月1日全面通线,实现了首批沟槽型SiC MOSFET器件晶圆下线。
据介绍,九峰山实验室已经形成了碳化硅沟槽器件制备的自主IP成套工艺技术能力,在4个月内连续攻克碳化硅(SiC)器件刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项关键工艺问题。
实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺,实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀,打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺,制定并实施了低阻n型和p型欧姆接触的合金化技术方案,系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。
此外,该实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
九峰山实验室首席运营官赵勇此前表示,九峰山实验室规划建设三条中试线,除了这次的6吋碳化硅中试线外,今年3月,其8英寸中试线正式通线运行,首批晶圆(高精密光栅)成功下线。预计今年10月份其4英寸中试线也将通线。
据悉,湖北九峰山实验室于2021年成立,实验室聚焦化合物半导体,主要涉及以下工艺领域:SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相关MEMS、特种先进封装和多材料集成。
九峰山实验室位于湖北武汉市东湖开发区,根据武汉日报的报道,东湖高新区将启动建设九峰山科技园,规划面积10平方公里,将建设碳化硅器件、氮化镓器件等量产线。
来源:行家说三代半等
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察(重点企业或园区)
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战(题目暂定) ——厦门三安光电有限公司(已定) |
中国第三代半导体产业布局情况(题目暂定) ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(已定) |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望(题目暂定) ——山西烁科晶体有限公司(已定) |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战(题目暂定) ——安徽芯塔电子科技有限公司(已定) |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技(北京)有限公司(已定) |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案(题目暂定) ——深圳基本半导体有限公司(已定) |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司(待定) |
碳化硅晶体的生长技术,PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所(待定) |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司(待定) |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学(待定) |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司(待定) |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(待定) |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司(待定) |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新,最终版以会场发布为准。
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中国大陆上月半导体前道设备进口数据表(月度更新)
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